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利用固相烧结法制备的Mg掺杂Pb0.3Sr0．7（Ti1-xMgxO）3-x（PST）陶瓷为靶材，采用射频磁控溅射法在ITO玻璃基板上成功制备了Mg掺杂PST薄膜。用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和阻抗分析仪分别测定PST薄膜的物相结构、表面形貌及介电性能。结果显示，薄膜具有良好的钙钛矿结构，无明显的择优取向生成，薄膜表面均匀致密。Mg的掺杂改善了PST薄膜电容值的频率特性，使其更加稳定。薄膜电容值随着掺杂含量的增加而降低，在Mg掺杂量x=0．05左右时达到相对最低值，随后略有升高，介电损耗也有类似现象。薄