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一个简单分析模型被开发了学习量在金者底层 MOSFET (金属氧化物半导体领域效果晶体管)的机械效果( QME )，它在减少通道的高绝缘的经常的材料也有 studied.By 与数字地报导的结果作比较是的 substrate.Some 替换物就精力量子化效果而言包括门氧化物通道，与存在好的结果火柴报导了工作。