高介电常数材料相关论文
电子设备和数字系统的大量使用不可避免地产生大量电磁干扰，严重影响日常生活。为了解决该问题，目前致力于高效微波吸收材料的研究。......
随着微电子技术微型化和集成化的发展,高介电常数材料在微电子器件,特别是在动态随机存储器中（DRAM）,扮演着越来越重要的角色。近年......
在微电子领域中,集成电路的发展是一直遵循摩尔定律的发展而发展的。随着MOSFET特征尺寸的不断缩小,其等效氧化物层的厚度减小到纳......
高介电常数材料是当今微电子行业热门研究课题之一，它的应用为解决当前半导体器件因尺寸缩小而导致的栅氧层厚度极限问题提供了可能......
低维纳米材料因其巨大的体表面比和显著的量子尺寸效应，而具有与体材料明显不同的物理化学性质。二维结构石墨烯的问世激起了科学家......
随着信息时代的发展,新型晶体管基非易失性存储器体现出越来重要的应用价值,获得了广泛的研究关注.本研究将具有Ⅰ型能带结构的硒......
一个简单分析模型被开发了学习量在金者底层 MOSFET (金属氧化物半导体领域效果晶体管)的机械效果( QME )，它在减少通道的高绝缘的......
简要回顾MOS晶体管一些具有代表性的技术进展，分析了其在将来超大规模集成电路（ULSI）应用中的主要限制。从材料以及器件结构两个方向......
成分分析和理化性能检测表明，余甘子加工产业多余的余甘子果核提取的油料具有向生物航空燃料等高品质油料转变的潜力．运用介电精制方......
原子层沉积系统是氧化物薄膜制备的主要手段。阐述了原子沉积的主要原理及工艺参数。利用原子层沉积系统制备了高介电常数ZrO2薄膜......
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薄膜晶体管(TFT)是有源矩阵有机发光二极管(OLED)驱动电路的核心元件。OLED是电流驱动型器件,传统的非晶硅TFT迁移率低,难以满足OL......
高介电常数材料在未喷涂电极前,如何测准他的介电常数,以判断该材料质量是否满足要求是一个困难。本文介绍一种通过恒压力电极,对......
日益增长的信息技术对更高集成度、高速、低功耗集成电路的需求，驱使晶体管的尺寸越来越小，随之而来的问题是作为MOS栅氧化物和DRAM......
20世纪60年代，戈登.摩尔博士提出了著名的摩尔定律，即集成电路的特征尺寸每三年缩小0.7倍，集成度每三年增长四倍。四十年来，集成电路产......
