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文章采用直流反应磁控溅射和热还原退火法制备V02薄膜，研究了退火温度与时间对该薄膜相变和性能的影响。采用原子力显微镜（AFM）、X射线衍射仪（XRD）、红外光谱仪、LCR精密电桥对薄膜的形貌、结构组分、光学性能和变温电阻进行了测试与分析。实验结果表明，溅射法制备的V02薄膜主要为V2O5相，经过500℃／120min氢气热还原退火后，薄膜逐步转变为VO2相，电阻突变可达到2个数量级。