【摘 要】
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设计并研制了一种新型复合沟道Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT（CC-HEMT）微波单片集成压控振荡器（VCO）,且测试了电路的性能。CC-HEMT的栅长为1μm,栅宽为100μm。叉指金属-半
【机 构】
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杭州电子科技大学微电子CAD研究所,香港科技大学电子与计算机工程系
【基金项目】
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National Science Foundation of China（60476035）
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设计并研制了一种新型复合沟道Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT（CC-HEMT）微波单片集成压控振荡器（VCO）,且测试了电路的性能。CC-HEMT的栅长为1μm,栅宽为100μm。叉指金属-半导体-金属（MSM）变容二极管被设计用于调谐VCO频率。为提高螺旋电感的Q值,聚酰亚胺介质被插入在电感金属层与外延在蓝宝石上GaN层之间。当CC-HEMT的直流偏置为Vgs=-3V,Vds=6V,变容二极管的调谐电压从5.5V到8.5V时,VCO的频率变化从7.04GHz到7.29
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