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设计并用金属有机物化学气相沉积方法生长了双有源区AlGaInP发光二极管，该发光二极管的两个AlGaInP有源区用高掺杂的反偏隧道结连接。双有源区发光二极管在20mA注入电流下，主波长为623nm，峰值波长为633nm，电压为4．16V，光强为163mcd。
MOCVD生长双有源区AlGaInP发光二极管
【摘 要】
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设计并用金属有机物化学气相沉积方法生长了双有源区AlGaInP发光二极管，该发光二极管的两个AlGaInP有源区用高掺杂的反偏隧道结连接。双有源区发光二极管在20mA注入电流下，主波
【机 构】
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北京工业大学电子信息与控制工程学院
【出 处】
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光电子.激光
【发表日期】
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2008年5期
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