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高气压耗尽RF-PECVD在高速生长优质微晶硅材料和太阳能电池方面具有巨大的优势。采用这种沉积方法，本征微晶硅材料的生长速度提高到0．32nm／s，晶化率达58．2％。把这种高速生长的微晶硅材料用作太阳电池的本征吸收层，在没有优化工艺参数和没有采用ZnO增反电极时，电池的转换效率达到4．8％。
微晶硅材料高速生长及其在太阳能电池中的应用
【摘 要】
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高气压耗尽RF-PECVD在高速生长优质微晶硅材料和太阳能电池方面具有巨大的优势。采用这种沉积方法，本征微晶硅材料的生长速度提高到0．32nm／s，晶化率达58．2％。把这种高速生长的微晶
【机 构】
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南开大学光电子所,南开大学学物理学院,河北工业大学
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2006年9期
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