【摘 要】
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近几年来，GaN材料生长和器件制备都获得了巨大进展。GaN基蓝光LED和LD相继研制成功并进入市场，更加推动了GaN材料的发展。目前GaN器件发展主要的障碍在于背景载流子(电子)浓度
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近几年来，GaN材料生长和器件制备都获得了巨大进展。GaN基蓝光LED和LD相继研制成功并进入市场，更加推动了GaN材料的发展。目前GaN器件发展主要的障碍在于背景载流子(电子)浓度太高，p型掺杂水平低。背景载流子可能与N空位、替位式Si、替位式O等有关。p型掺杂(主要是掺Mg)方面，H补偿受主Mg，使掺Mg的GaN成为半绝缘。经过低能电子束辐照(LEEBI)或快速热退火(RTA)处理后，部分Mg可以被激活，空穴浓度可达到1018 cm－3，但仍然不能很好满足器件需要，这可能与Mg较高的电离能(约250 meV）有关。其它掺杂剂也在研究中。理论上，Be的受主电离能只有60 meV，可能是比较好的掺杂剂。文中系统研讨了GaN材料p型掺杂遇到的问题及其相关机制。
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