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针对Nb-Si-N纳米复合薄膜在沉积过程中各原子的成核过程和生长取向,采用基于密度泛函理论（DFT）第一性原理超软赝势平面波计算方法分别计算了Nb、Si、N各单原子在NbN（001）表面6个对称位的吸附作用和迁移过程.吸附作用的计算获得各原子的势能面,其中Nb在NbN（001）表面最低能量位置为HL位,N、Si最低能量位置处于HL位与TopN位之间.势能面计算结果确定各单原子在NbN（001）表面迁移的路径分别为,Nb原子和Si原子均为从TopN位置迁移到HL位置;N原子分别从TopNb位置和TopNGH