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文章采用萨方程对CMOS工艺的6管静态存储单元结构进行分析计算,探讨了在工艺特征尺寸确定的情况下,晶体管沟道宽度为何值时存储阵列的数据输出延迟最小的估算方法;利用Matlab求解得到一个非线性方程;该方法适用于不同的存储阵列和特征尺寸,可以快速地估算出晶体管沟道宽度,为设计存储器单元版图时提供了方便。