静态存储器相关论文
为了减少功耗,现代处理器往往会在计算负荷较小时降低工作电压。然而当工作电压持续降低到近阈值附近时,静态随机存储器（Static Ran......
半导体存储器是众多芯片家族之中的重要一支。现在数字设计的硅片中,近80%面积用于存储芯片。在今天高性能微处理器中一半以上的晶......
在微电子这一大家庭中，半导体存储器是一类典型的微电子产品。在随机存取存储器中，除了动态存储器(DRAM)外，静态存储器(SRAM)由于其自......
硅基液晶(LCOS: Liquid Crystal On Silicon)数码彩扩冲印系统是一种采用LCOS(硅基液晶)代替银盐胶片实现进行数码影像冲印的系统......
计算机问世50多年来,其性能发展很快,特别是CPU技术发展更快,然而,计算机存储器的发展滞后于CPU的发展,它严重影响了计算机的性能......
随着半导体集成技术的飞速发展,芯片集成度已跨入SoC时代。AM-OLED显示驱动芯片是一个数字模拟混合的SoC系统,在芯片中内嵌静态存......
储器是现代电子系统中不可缺少的一个组成部分。按存储性质分类,可分为:SRAM静态RAM(Static RAM);DRAM动态RAM(Dynamic RAM);PROM......
伪静态存储器的设计是用于直接替代静态随机存储器，即使内部存储器的操作并非静态。商业化的两种伪静态存储器分别是伪静态随机存储......
全面地论述了网络控制下静态存储器动态检测系统的软硬件原理与特色。系统的实时测试采用了基于国际标准的 TCP/ IP协议远程网络来......
表征器件单粒子敏感度的σ-LET 曲线是轨道翻转率预估的重要依据.利用兰州重离子加速器（HIRFL）加速的 35 MeV/u的36Ar离子和 15.14 M......
推动无线行业发展所需的技术正飞速前进,这一趋势源于日本。1993年,一般日本手机的尺寸是150cm3,重量约为200g。日本手机制造商多......
针对汽油机转速变化范围大及点火电压、电流变化极快的特点,采用CPLD作为高速采集器,有效地实现了超高速数据采集,完成了对点火电......
利用兰州重离子加速器加速的高能离子研究了入射角度对IDT71256的单粒子翻转截面和多位翻转比例的影响.研究表明:在大角度掠射轰击......
存储器的软错误直接关系到产品的可靠性,为比较3种器件的抗软错误能力,实验测量了3种静态存储器(SRAM)的单粒子翻转错误数,计算了......
研究了15.14MeV/u 136 Xe离子在不同批次的32k×8bits静态存储器中所引起的单粒子效应. 获得了单粒子翻转和单粒子闭锁截面与入射......
给出了不同集成度16K-4Mb 随机静态存储器SRAM在钴源和北京同步辐射装置BSRF 3W1 白光束线辐照的实验结果;通过实验在线测得SRAM位......
介绍了现场可编程门阵列FPGA（Field Programmable Gate Array）件XCS30的主要特点、技术参数、内部结构和工作原理．阐述了其在电力系统......
DVI接口标准作为新一代的数字显示技术通讯标准，以全数字化的数据码流在传输信道上传输．本文针对DVI接口标准提出了一种基于FPGA的高......
本文就一种数据块的无缝跳转技术做了深入的分析和讨论,并据此提出了一种使用小容量存储器产生长序列数据码的电路实现方法,并且最......
中子是近地空间和核爆的主要辐射源之一,中子二次反应诱发的单粒子效应极大地影响了电子元器件的可靠性。本文针对商用体硅工艺静......
In advanced technologies, single event upset reversal(SEUR) due to charge sharing can make the upset state of SRAM cells......
介绍了一款基于SRAM技术的FPGA电路的通用互连结构。在对其通用互连线的延时模型进行分析的基础上，提出了一种改进的互连结构。基于......
SOI（绝缘体上硅）静态存储器与用传统体硅技术制备的SRAM有着不同的特性,在测试SOI SRAM时需要考虑其特有的故障模型.基于读写过程中......
可重构静态存储器(SRAM)模块是场可编程门阵列(FPGA)的重要组成部分,它必须尽量满足用户不同的需要,所以要有良好的可重构性能。本......
设计了一种深亚微米,单片集成的512 K(16 K×32位)高速静态存储器(SRAM).该存储器可以作为IP核集成在片上系统中.存储器采用六......
<正> 2114A 系列 RAM 是一种不需要时钟或定时选通信号的完全静态存储器件,使用5V 单电源供电,功耗低,存取速度快,输入/输出与TTL ......
随着技术的发展和核心电压的降低，存储器更易受瞬时错误（软错误）影响，成为影响航天器件可靠性的主要原因。错误检测与纠正（EDAC）码（也称错......
设计并实现了一种用于FPGA配置的抗干扰维持电路,针对基于SRAM的FPGA配置单元易受噪声影响丢失信息的问题,提出了电压不稳定、低压......
随着半导体特征工艺尺寸减小、集成度提高,静态存储器(sram)对单粒子锁定呈现出极其敏感的现象和趋势,为此国际航天界开展了大量的......
sram型fpga配置区的单粒子翻转可能对系统的功能产生严重的影响,因此必须进行针对性的加固措施,而加固的重要依据之一是在轨翻转率......
利用脉冲激光定位成像系统，对CMOS SRAM K6R4016V1D器件开展了单粒子锁定效应（SEL）敏感区定位的试验研究。试验结果表明：该器件的单粒......
提出了一种基于SOI工艺6T SRAM单元质子辐射的单粒子饱和翻转截面的预测模型,该模型通过器件物理来模拟辐照效应,利用版图和工艺参......
高性能的系统芯片对数据存取速度有了更严格的要求,同时低功耗设计已成为VLSI的研究热点和挑战.本文设计了一款4-Mb(512K×8bi......
该系统在硬件上以大规模复杂可编程逻辑器件(FPGA)及微处理器(8051)为核心,采用模块化流水线处理结构,实现目标图像的实时跟踪.在......
为了提高路由查找的速度，路由器的转发单元目前大多采用基于CAM的硬件解决方案。论文针时IPv6路由器的特性，设计并实现了一种分段存......
提出了一种用于SRAM的低功耗位线结构，通过两种途径来实现低位线电压。在写操作时，利用单边驱动结构来抑制位线上充电电压的过大摆动......
介绍一种单片机系统中高速数据采集的实现方法,在单片机与高速A/D转换器之间以静态存储器作缓冲器,采用A/D转换器直接写存储器的方......
该系统在硬件上以大规模复杂可编程逻辑器件(FPGA)及微处理器(8051)为核心,采用模块化流水线处理结构,实现目标图像的实时跟踪.在......
文章采用萨方程对CMOS工艺的6管静态存储单元结构进行分析计算,探讨了在工艺特征尺寸确定的情况下,晶体管沟道宽度为何值时存储阵......
阐述了谐振隧穿器件构成的与非门、单／双稳逻辑转换电路、或非门、流水线逻辑门、D触发器、静态存储器、多值逻辑和静态分频器等数......
下一代高速"核心"路由器不仅支持IPv4而且支持IPv6,但传统的线卡和转发查表机制耗费大量的系统资源,且不能满足高速路由查找的要求......
对两种大容量静态存储器(SRAM)HM628128、HM628512进行了同一字节多位翻转(SMU)实验研究.HI-13串列加速器提供的F、Cl及Br离子轰击......
根据某型号通信实验系统中数据采集单元的设计要求，提出了一种高速、大容量、多通道数据采集系统的设计方案。该方案以同步动态存储......
以计算机的ISA总线为基础，对它的外围电路进行研究；以静态存储器作为共享存储介质，接口电路的设计包括各控制接口设计，标志逻辑电路设......
SOI工艺具有内在的抗辐照能力，因此被广泛地应用于航天、军事等高可靠领域。本文基于我国目前最先进的0．5μm的PD SOI工艺设计了8Kb......
华润上华成立于1997年12月,是一家位于江苏省无锡市高新技术开发区的纯晶圆代工企业,也是目前国内五大纯晶圆代工企业之一。华润上......
为了满足目前对大容量、高速、高可靠性静态随机存储器（SRAM）越来越多的需求和解决高集成度的SRAM成品率深受生产工艺影响的问题，文章......
伴随着微电子技术不断发展的脚步,电子产品最核心的元器件—金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effec......
对部分耗尽SOI CMOS静态存储器的位线电路进行了模拟和研究,详细分析了BJT效应对SRAM写操作过程的影响,给出了BJT效应在SRAM写操作......
