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采用电子束光刻技术和反应离子刻蚀等工艺,在P型SIMOX硅片上成功地制备了一种单电子晶体管.提供了一种制备量子线和量子点的工艺方法,在器件的电流、电压特性上可观测到明显的库仑阻塞效应和单电子隧穿效应.该器件的工作温度可达到77K.
硅单电子晶体管制备及特性
【摘 要】
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采用电子束光刻技术和反应离子刻蚀等工艺,在P型SIMOX硅片上成功地制备了一种单电子晶体管.提供了一种制备量子线和量子点的工艺方法,在器件的电流、电压特性上可观测到明显
【机 构】
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西安理工大学自动化与信息工程学院
【出 处】
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西安理工大学学报
【发表日期】
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2002年2期
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