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用光刻和反应离子刻蚀的方法对硅材料光子晶体板的制作进行了研究.实验发现,与激光直写曝光相比,光刻曝光更有利于胶上图形的陡直度.扫描电子显微镜测试表明,反应离子刻蚀后得到深3.3μm,晶格周期10.95μm,占空比50%的孔状光子晶体板结构,孔的陡直度保持较好,基本满足设计要求.
硅基光子晶体板的光刻和反应离子刻蚀
【摘 要】
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用光刻和反应离子刻蚀的方法对硅材料光子晶体板的制作进行了研究.实验发现,与激光直写曝光相比,光刻曝光更有利于胶上图形的陡直度.扫描电子显微镜测试表明,反应离子刻蚀后
【机 构】
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中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室,中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室,兰州大学物理科学与技术学院
【出 处】
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光电工程
【发表日期】
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2004年2期
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