三维芯片相关论文
随着集成电路产业工艺水平的持续进步,,集成电路中芯片的性能和集成度依据摩尔定律不断提升。与此同时摩尔定律逐渐走向终结,此时......
三维芯片(3D-IC)通过硅通孔(TSV)技术来实现电路的垂直互连,延续了摩尔定律,但在制造、绑定等过程中,TSV容易引入各类缺陷.添加冗......
三维芯片由多个平面器件层垂直堆叠而成，并通过过硅通孔（TSV，Through SiliconVia）进行层间互连，显著缩短了互连线长度、提高了芯片集成......
温度是三维(3D)集成的重要设计约束,温度场可视化对于3D芯片热设计与任务调度等工作具有重要意义。为了对3D芯片温度分布进行实时......
本文针对三维芯片测试,首先提出了一种扫描结构,这种结构考虑了硅通孔（through silicon vias）互连的代价,在有效的降低测试时间的同......
现有的三维（3D）垂直集成技术无法实现热扩展,受限于过高的温度,难以通过众多器件层的叠放来实现性能的最大化.文中提出了一种具有热......
精确提取三维芯片中硅通孔（Through Silicon Via,TSV）电容在三维芯片设计中至关重要.使用后钻孔工艺（Via last technology）制造的TSV将......
随着集成度的增加，高密度的3D IC的发热问题变得越来越严重，温度过高的热斑不仅影响芯片的性能，甚至对芯片的可靠性带来严重的威胁。......
三维芯片设计对于提高芯片性能以及减少线长显现了很好的优势,降低连线拥挤度是保证布线成功率和三维芯片实现的关键.为了解决三维......
三维集成电路（3D-IC）通过在垂直方向堆叠多层芯片有效提高了芯片的性能和集成度.然而,过高的功率密度和温度成为3D-IC集成度提高的最......
三维芯片（3D-SIC）通过硅通孔TSV技术实现电路的垂直互连,有效提高了系统集成度和整体性能。由于三维芯片测试中,用于测试的引脚数和T......
由于具有高集成度、高性能及低功耗等优点,三维芯片结构逐渐成为超大规模集成电路技术中的热门研究方向之一.TSV是三维芯片进行垂......
随着信息时代智能化发展对高性能集成电路要求不断变高,传统的二维芯片很难满足发展需求。而三维芯片有着全局互连线长度短,面积开......
三维堆叠芯片的设计方法,可以获得高集成度、低功耗、低成本的芯片。但这种堆叠设计,对于热量的传导,温度的管理提出了挑战。本文......
根据ITRS的统计,越来越昂贵的设计成本逐渐成为半导体行业发展的阻力。为了解决这个问题,复用现有的设计资源是大势所趋。大部分传......
三维芯片设计通过垂直集成大大提升了芯片的集成度，成为当前半导体产业发展最快的技术之一，被认为是一种延续摩尔定律增长趋势的新方......
在三维集成技术中,让制造检测好的已知合格片在不同的三维芯片设计中复用可有效降低成本。设计了一种采用通用网络服务片(GNSD)来......
随着纳米级、亚纳米级制造工艺的发展,集成电路的性能迅速提高,传统的芯片设计思想和理念,已经无法满足当前制造行业的发展和集成......
在过去的几十年中,CMOS制造技术按照摩尔定律得到了很大的发展。然而,随着芯片功能的增强,二维芯片中包含的功能单元的增多,使得芯......
随着半导体技术的发展和应用需求的提高，传统二维芯片的发展瓶颈逐渐显现，尤其是在特征尺寸进一步缩减时带来的可靠性降低、设计复杂......
随着超大规模集成电路的发展及应用需求的不断提高，三维芯片设计成为当前半导体产业发展最快的技术之一，被认为是可以克服特征尺寸限......
随着半导体产业的发展，集成芯片的性能空前强大，与此同时，高速度、高集成度的芯片设计也给测试带来了严峻的挑战。由于芯片集成度的日......
在Bind-SilaneR处理的玻片上交联聚丙烯酰胺凝胶层(15mm×15mm×20μm),戊二醛活化.与末端氨基修饰的寡核苷酸片段共价结......
为了解决三维芯片设计中的发热问题，针对三维芯片物理模型提出一种快速、准确的热仿真方法．该方法基于三维有限差分法，利用嵌套的两重......
