光致发光(PL)相关论文
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基于发光二极管(LED)参数的非接触检测的方法研究,测试研究了封装过程中LED的理想因子。探讨了影响LED理想因子的因素,测试了光致......
第三代半导体材料氮化镓(GaN)是一种直接带隙宽禁带半导体,具有较高的电子饱和速度及载流子迁移率、高热导率、出色的击穿强度和耐......
采用氢氧化钾(KOH)和二水醋酸锌(Zn(CH3COO)2.2H2O)配制不同浓度的反应溶液,反应过程中加入表面活性剂聚乙二醇(HO(CH2CH2O)13H),......
对使用 MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长的典型 In Ga N样品进行了光致发光 (PL)、霍耳 (Hall)及扫描电镜 (SEM)测量 .结果表明 :适当......
对利用ＭＢＥ技术生长的Ｈｇ０．６８Ｃｄ０．３２Ｔｅ薄膜进行了光致发光和喇曼光谱的研究．拟合薄膜光致发光谱得到的禁带宽度，与用红外透射谱得到的薄膜带宽相近；其半峰......
主要通过低温和室温变功率光致发光(PL)谱的实验手段,研究了 GaN纳米柱和对应薄膜(作为参考)的量子效率表现.实验中发现在室温,激......
介绍了纳米ZnO常见发光谱的发光机制。在室温光致发光谱(PL)中,一般在380 nm处出现紫外发光,也有报道在357和377 nm处的紫外发光,......
应用蒸镀-阳极氧化法制备结构为ITO/PS/p-S i/A l的多孔硅电致发光器件,在7.5V电压下实现了数小时连续电致发光.实验表明,多孔硅电......
采用溶胶-凝胶（sol-gel）法制备了Eu掺杂的SiO2干凝胶，分别用光致发光（PL）光谱、透射电镜（TEM）、扫描电镜（SEM）、红外吸收（IR）谱等分析手段对样......
采用双离子束溅射法制备了SiNx薄膜,用XRD、XPS、FTIR等对薄膜的结构进行了表征,并且分析了样品的光致发光(PL)特性.发现在225 nm......
在适当条件下氧化多孔硅是提高多孔硅发光强度的良好途径,提出了一种新型阳极氧化方法,并探讨了该方法所涉及的阳极氧化条件.采用......
常温下对低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx：H 薄膜进行低能量高剂量的C^＋注入后,在800～1 200 ℃高温进行常规退火处理.X......
采用等离子体化学气相沉积系统生长非晶硅薄膜并用原位等离子体氧化的方法制备出具有不同子层厚度的非晶Si／SiO2多层膜，然后利用限制......
以Zn（CH_3COO）_2·2H_2O、KOH和MnCO_3为原料,采用水热法制备出ZnO纳米棒和Mn掺杂ZnO纳米线.利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、......
采用独特的高分子溶液白组装生长方法，在经化学镀预处理的基底上利用高分子溶液的网络络合效应制备了ZnO纳米线．通过场发射扫描电子......
依据阴极射线致发光的电压依赖曲线，对荧光管内荧光颗粒的电荷进行了研究。商用荧光粉制作的荧光屏，具有表面束缚电子（SBE）。由于来自S......
本研究以硅片为衬底，热蒸发一氧化硅粉末在较低温度下合成了大量直径均匀的非晶SiO2纳米线。这些纳米线直径分布在15nm～40nm之间，长度......
采用多源高真空有机分子束沉积系统（OMBDs）,将两种有机小分子材料PBD和Alq3以交替生长的方式,制备了不同厚度的PBD/Alq3有机多层量子......
利用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）生长了InGaN/GaN多量子阱（MQWs）结构,研究了生长停顿对InGaN/GaN MQWs特性的影响.结果表明,采用生......
采用溶胶–凝胶法在普通玻璃衬底上制备了ZAO（ZnO：Al）薄膜，利用XRD、SEM、紫外–可见光谱和光致发光光谱对所制备的AZO薄膜进行了表征，......
采用脉冲激光沉积（PKD）技术，在Si（100）衬底上制备出高度C轴取向的ZnO薄膜。通过测量X射线衍射（XRD）谱、扫描电镜（SEM）和光致发光（PL）谱，研究了......
用双离子束溅射法制备了SiOxNy薄膜，并对薄膜的结构和光致发光（PL）性质进行了研究。XRD和TEM的实验结果表明薄膜是非晶结构,用XPS对样......
利用介孔二氧化硅为载体,将罗丹明B(RhB)分子嵌入其中,获得了纳米复合材料.测量了光致发光谱,观察到纳米孔中小分子的光致发光蓝移......
分别采用溶胶-凝胶法（sol-gel）和水热反应制备了掺杂Eu的SiO2干凝胶、发光薄膜，通过荧光（PL）光谱、透射电镜（TEM）、扫描电镜（SEM）、原子力显......
近几年, 宽禁带纳米ZnO已成为材料科学研究中一个热门课题. 这一方面是因为ZnO是制作传感器和气敏元件等不可缺少的原料[1,2]; 另......
用微乳液法合成了ZnS：Tb／SiO2核壳结构纳米晶，并通过X射线粉末衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）、荧光光谱等手段对产物的结构、尺寸、形貌......
以Zn（NO3）2·6H2O、NaOH和聚乙二醇（PEG，Mn=2000）为原料，采用微波水热法制备了结晶性能良好的ZnO纳米棒及其3D组装结构。利用EDS、XP......
利用射频(RF)等离子方法,对GaAs半导体表面进行了S-N混合等离子体钝化实验,并对工作压强、RF功率进行了优化。光致发光(PL)测试结......
采用sol-gel法在玻璃衬底上制备ATO(SnO2∶Sb)薄膜,并用XRD、SEM、紫外-可见光谱和光致发光对薄膜进行了表征,研究了ATO薄膜的结构......
对二十一世纪的电信业而言,带宽的需求正在不断增加。波分复用(WDM)技术的问世,大大提升了光纤传送的数据量。目前,一些关键技术的......
近年来,由于一维ZnO结构在场发射、紫外敏感、压电等方面的优越性能,使之在平板显示器、紫外传感器、微型纳米发电机等领域的应用......
在水性介质中，制备了ZnS：Er量子点，并对其的X射线（XRF）谱、X射线衍射（XRD）谱、透射电子显微镜（TEM）图像和光致发光（PL）谱进行了研究，确定了所制......
开发了用O3氧化钝化多孔Si（PS）的实用工艺方法。O3的基本作用是对Si-Hx和Si悬挂键（DB）的充分氧化，经过随后158d贮存的老化实验，得到了表......
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长650 nm谐振腔半导体发光二极管(RCLED),利用光致发光(PL)谱和电致发光(EL)谱研究了其发......
用电化学阳极氧化法制备了一定孔隙率的多孔硅（PS，Porous Silicon）样品，然后以PS为衬底用脉冲激光沉积（PLD）的方法在100℃、200℃ 和300......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
采用溶胶-微波水热法使TiO2前驱体微球表面形成自组装介孔结构,得到F掺杂的介孔TiO2微球。利用SEM、TEM、XRD、XPS、PL对样品进行......
采用溶胶-凝胶法，在玻璃上制备了不同掺Al浓度的ZnO薄膜。x射线衍射（XRD）结果表明，所制备的薄膜具有c轴择优取向，随着掺Al浓度的增加，（002......
近年来,图形化蓝宝石衬底(PSS)作为GaN基LED外延衬底材料被广泛应用。采用感应耦合等离子体(ICP)技术对涂覆有光刻胶阵列图案的蓝......
采用溶胶-凝胶法制备了Tb3+掺杂的SrTiO3纳米晶粉末,并对样品进行了X射线衍射（XRD）、场发射扫描电镜（FESEM）、光致发光（PL）谱及光致发光......
为了得到发光效率较好的长波长红色荧光粉,采用高温固相法成功地合成了适合紫外激发的红色荧光粉Ca0.5-x Sr0.5MoO4:xSm3+,研究了......
基于X射线衍射仪、喇曼散射、光致发光(PL)和傅里叶红外吸收光谱等技术,详细研究了氢稀释比对纳米晶硅(nc-Si∶H)薄膜结构和光致发......
采用水相法制备了颗粒尺寸为3.75nm的硒化锌(ZnSe)量子点,采用表面活性剂将ZnSe量子点转移到有机相聚(2-甲氧基-5-辛氧基)对苯乙炔......
ZnO纳米结构以其优秀的电学、光学等物理性质、广泛的应用以及易于合成等特点而成为国际上半导体纳米材料研究领域的热点之一。尽......
目的比较氮掺杂的氧化锌薄膜与纯氧化锌薄膜的发光特性。方法用射频磁控溅射法,在玻璃衬底上通过控制氩气,氧气,氮气的流量,制备了......
采用商业Y(NO3)3·6H2O、Eu(NO3)3·6H2O、(NH4)2SO4和NaOH为实验原料,通过共沉淀法制备了Y2O2SO4:Eu3+荧光粉。利用热分析(DTA-TG......
CuAlO2是一种Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族间接禁带半导体,在可见光范围内透明,直接光学禁带宽度约为3.5eV,是最早发现的Cu基p型半导体。CuAlO2在光......
