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基于正统单电子理论,提出了单电子晶体管的I-V特性数学模型.该模型的优点是:它由实际物理参数直接获得;支持双栅极工作,更利于逻辑......
提出了一种新颖的单电子随机数发生器(RNG).该随机数发生器由多个单电子隧穿结(MTJ)以及单电子晶体管(SET)/MOS管混合输出电路组成.MTJ被......