【摘 要】
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微电子技术的发展越来越接近其工艺技术极限,因此有必要着力发展新的器件工艺技术。纳米电子器件是微电子器件的延续；作为新一代电子器件,纳米电子器件在功耗、工作速度等方面
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微电子技术的发展越来越接近其工艺技术极限,因此有必要着力发展新的器件工艺技术。纳米电子器件是微电子器件的延续；作为新一代电子器件,纳米电子器件在功耗、工作速度等方面相对于传统的微电子器件具有明显优势,发展前景十分广阔。单电子器件,包括单电子晶体管和单电子存储器,是纳米电子器件中最具代表性的一类器件,代表了下一代器件的发展方向,因而也成为目前器件研究领域的热点。本论文首先介绍了单电子器件的出现背景,介绍了单电子学的正统理论。然后在单电子隧穿正统理论的基础之上,建立了单电子晶体管的SPICE模型,并对其特性进行了分析。最后采用单电子晶体管的SPICE模型实现了单电子反相器的设计,并通过具体的电路对SPICE模型的精确性进行了验证,结果表明,该SPICE模型的精确度较高,完全能够用于电路级的仿真中。
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