原子层淀积相关论文
物联网“Internet of Things（IoT）”是引领全球电子信息产业发展的新引擎,在过去的几年里,物联网及物联网传感器的市场容量及贸易规......
自摩尔定律提出以来,半导体行业在过去几十年里一直遵循摩尔定律稳步发展。到器件特征尺寸发展至45 nm技术节点时,传统的SiO2介质......
我们成功合成了TaN薄膜原子层淀积的高纯有机钽先驱物并使其特性化,同时对这些先驱物的汽压和热稳定性进行了研究.根据汽压分析发......
本文主要包括“新型动态随机存储器设计”以及“Zn0纳米线／Si异质结的制备及特性研究”这两个部分。第一部分主要围绕“新型动态随......
随着煤、石油、天然气等传统能源的广泛使用与日益减少,全球能源问题与环境问题变得日益突出。如何有效地转化利用新能源、储存新......
非易失性快闪存储器在智能手机以及其它移动数码产品等方面具有广泛的应用,在最近几年得到了快速的发展。然而,传统的多晶硅浮栅存......
本文用量子化学的密度泛函方法对高介电常数栅介质的原子层淀积初始反应机制作了详细的研究。研究的高介电常数介质有Al2O3、HfO2......
集成电路工艺的不断发展使得器件的特征尺寸接近电子的德布罗意波长,量子效应变得十分明显。电子的直接隧穿效应将导致栅介质的泄......
随着集成电路技术的飞速发展，金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的特征尺寸遵循着“摩尔定律”不断缩小。根据“按比例缩小”......
在过去的几十年中，微电子技术的发展一直依循着摩尔定律稳步前进。金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的性能也随着器件尺寸的......
用密度泛函方法研究了ZrO2在羟基预处理的Si(100)-2×1表面原子层淀积(ALD)初始反应过程的反应机理,ZrO2的ALD过程包括两个前体反......
采用原子层淀积（ALD）的方法在Si（100）衬底上制备了铪铝氧（HfAIO）高介电常数介质，并研究了N2和NH3退火对于介质薄膜的影响。改变原子层淀积......
采用原子层淀积方法,在不同生长温度下制备了HfO2高k栅介质薄膜,研究了生长温度对HfO2薄膜特性的影响.实验结果表明,HfO2薄膜的生......
氧化铪（HfO2）介质材料是目前用来取代SiO2的最有前途材料之一。介绍了HfO2的制备方法，对几种制备方法进行了比较，并分析了各种制备方法......
随着闪存技术即将达到尺寸极限而面临无法等比例缩小的问题,一种基于材料电阻转变特性的电阻式存储器(RRAM)由于其结构简单、可缩......
论文首先对GaN基MOS-HEMT器件的制作工艺方法进行了研究和优化,在器件表面钝化工艺中,提出了采用先低后高的起辉功率,提高了Si3N4......
随着微电子技术的飞速发展，作为硅基集成电路核心器件的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的特征尺寸一直按照摩尔定律不断地缩小......
随着大规模集成电路VLSI （Very Large Scale Integrated circuits）技术的迅猛发展，半导体器件的特征尺寸遵循着摩尔定律不断地减小，在......
随着半导体工艺技术的不断进步，金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的特征尺寸也在不断的减小。当传统的SiO2栅介质层厚度减小到几......
随着集成电路器件尺寸的持续缩小,互连延迟越来越成为制约集成电路发展的瓶颈问题。在32nm及以下技术节点,互连工艺中磁控溅射制备......
随着半导体工艺技术的不断按比例缩小,非挥发闪存存储器的特征尺寸越来越小,集成度越来越高。因而,传统的多晶硅浮栅为基础的闪存......
以（MeCp）Pt（CH3）3和O2为反应源,采用原子层淀积（ALD）技术在A12O3衬底上制备Pt纳米颗粒,研究了在氮气中快速热退火对Pt纳米颗粒的特性的影......
采用原子层淀积(ALD)实现了10nmAl2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).通过对MOS-HEMT器......
研究了原子层沉积制备氧化铝薄膜的光学性能。以三甲基铝(TMA)和水为前聚体,分别在基板温度为250℃和300℃的K9和石英玻璃衬底上沉......
原子层淀积(ALD)是一种先进的纳米级薄膜生长技术,在微电子和光电子领域有着广泛的应用前景,尤其在提高太阳电池的光电转换效率方......
氧化锌是一种宽能带隙半导体材料,在室温下,其禁带宽度达到3.37eV,具有禁带宽、激子束缚能高、无毒、原料易得、成本低等优良的光......
集成电路产业的不断发展促进着器件特征尺寸的进一步缩小,当器件特征尺寸缩小到45 nm以下时,为了抑制栅极泄漏电流的进一步增大,高......
随着集成电路的发展，摩尔定律一直驱动着集成电路的基本单元，即金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）的等比例缩小。在等比例缩小中......
自上个世纪七十年代以来电路器件集成度按照摩尔定律的预测基本保持每十八个月翻倍,在这过去五十多年的时间里,在各个领域的研究者......
随着集成电路特征尺寸在摩尔定律的驱动下不断缩小,许多传统薄膜生长工艺都面临着挑战。而原子层淀积工艺作为一种新兴的薄膜生长......
随着半导体工业的发展，晶体管的尺寸不断减小，二氧化硅层的厚度将减至2nm以下，仅有几个原子层的厚度。传统的二氧化硅面临诸多严峻挑......
随着集成电路工艺的发展，器件尺寸越来越小。传统的SiO2氧化层厚度已减薄至纳米级别，导致栅介质的泄漏电流急剧增大等问题，阻碍了进一......
在跟随摩尔定律等比例缩小器件尺寸的进程中，为保证电流的驱动能力，并减小栅泄漏电流，高k栅介质的应用成为必然趋势。为寻找一种能够......
随着半导体工艺技术的不断发展,芯片的特征尺寸不断减小,传统的基于多晶硅浮栅快闪存储器正面临着严峻的挑战。而基于分离节点存储......
随着微电子产业的飞速发展,CMOS器件特征尺寸在不断缩小,传统的氧化硅栅介质材料/Si体系为基础的MOS器件已经走到了物理极限。一方......
随着半导体工艺技术的向前发展.集成电路特征尺寸逐渐减小,因此纳米量级的材料制备技术变得越来越重要：近几年来,原子层淀积技术作......
随着传统集成电路集成度的提高以及特征尺寸的不断下降,CMOS集成电路在材料、工艺、器件结构等方面遇到了很多难以逾越的发展瓶颈,......
随着集成电路工艺的不断发展,CMOS器件尺寸随之缩小。尤其是在45nm甚至更小的工艺节点下,传统的SiO2栅氧化层介质,由于其厚度已减......
当集成电路工艺特征尺寸到达45nm节点及以下时,铜互连工艺中的RC延迟因受尺寸缩小规则影响而迅速增大,并由此对半导体器件的速度及......
随着器件尺寸的进一步缩小,栅介质正变得越来越薄,当传统栅介质层SiO2的厚度减小到原子尺寸时,由于量子隧穿效应的影响,漏电流将变......
随着集成电路工业的飞速发展,CMOS工艺已经成为了当前最为主流的集成电路工艺。然而,随着集成电路特征尺寸的不断减小,一些传统工......
自从1958年第一块集成电路问世以来,微电子技术的发展非常迅速。微电子技术的发展目标是不断提高集成系统的性能和性能价格比,提高......
本文采用原子层淀积（ALD）技术,以四（乙基甲胺基）铪（TEMAH）与去离子水（H2O）为反应源,制备了高介电常数HfO2介质薄膜,研究了各种表面后处理方......
