双栅MOSFET相关论文
基于非平衡格林函数(NEGF)的量子输运理论框架,对双栅MOSFET进行了二维实空间数值模拟。在对表征载流子电势的泊松方程自洽求解后,......
双栅MOSFET是一种非常有发展前途的新型器件,它具有跨导高、亚阈值特性优异、短沟道特性好等优点.自对准的双栅MOSFET结构中,栅与......
在双栅纳米MOSFET中,输运参数对器件输运机制描述至关重要。文章主要对纳米双栅MOSFET输运的背散射系数进行研究,分别得到了器件在......
基于是荷分享原理，推导了双栅和环栅MOSFET短沟效应引起的阈值电压下降，分析了衬底掺杂浓度、栅氧化层厚度及硅膜厚度等因素对阈值电......
重点介绍器件进入纳米尺度后出现的 MOSFET/SOI器件的新结构,如超薄 SOI器件、双栅 MOSFET、 FinFET和应变沟道等 SOI器件,并对它......
进入超深亚微米领域以后,传统CMOS器件遇到了器件物理、工艺技术等方面难以逾越的障碍.普遍认为,必须引入新结构和新材料来延长摩......
不断缩小半导体器件尺寸将引起二氧化硅绝缘层厚度逐渐地减薄,从而导致从栅极泄漏到衬底的栅极漏电流的明显增加,这制约了MOSFET性......
目前,半导体产业正在经历着巨大的变革,半导体器件的结构不在仅仅局限于传统的平面结构,而是向着三维立体化的新型器件结构发展。......
互补氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,CMOS)器件尺寸进入深亚微米以后,传统的金属氧化物半导体场效应晶体......
随着半导体技术的发展,常规二维金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的特征尺寸已接近物理极限,并出现了许多非理想效应。而新型多栅......
随着金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFETs)尺寸的不断缩小，当器件尺寸缩小至纳米尺度时，量子力学效应开始凸显并且显著改变了器......
在摩尔定律的指导下,集成电路半导体器件的尺寸越来越小,但是不能无限缩小。在缩小到一定程度将达到它的物理极限,严重的短沟道效......
