反应射频磁控溅射相关论文
近年来,宽禁带半导体材料的相关研究如火如荼。其中,氮化铝（AlN）是典型的超宽禁带半导体材料,其禁带宽度高达6.2 eV。作为直接带隙半......
掺杂CeO2基电解质材料替代传统的YSZ电解质材料是发展中温固体氧化物燃料电池的趋势,是目前SOFC领域的研究热点之一。掺杂浓度为10......
掺杂CeO_2基电解质材料替代传统的YSZ电解质材料是发展中温固体氧化物燃料电池的趋势,是目前SOFC领域的研究热点之一。掺杂浓度为1......
利用反应射频磁控溅射技术,采用两步生长方法制备了ZnO薄膜,探讨了基片刻蚀时间和低温过渡层沉积时间对ZnO薄膜生长行为的影响.研......
在不同的氮分压r(r=N2/[N2+Ar])和射频功率P下,使用反应射频磁控溅射法,在玻璃基片上制备了氮化铜薄膜样品.用台阶仪测得了薄膜的......
利用反应射频磁控溅射技术,通过对基体施加负偏压溅射ZnO薄膜,探讨了固定偏压下ZnO薄膜的表面形貌随沉积时间的演化以及不同偏压对......
采用反应射频(RF)磁控溅射法在n型(100)单晶Si基片上沉积了ZrO2薄膜,研究了氧分压与ZrO2薄膜的表面粗糙度和沉积速率、SiO2中间界......
利用Gd/Ce镶嵌复合靶、采用反应射频磁控溅射技术制备了Gd2O3掺杂CeO2(GDC)氧离子导体电解质薄膜,重点探讨了基片温度对薄膜物相结......
在氧气、氩气的混合气氛中 ,利用反应射频磁控溅射制备了厚度在 1 0 0到 1 0纳米的非晶氧化铝薄膜。通过 Al-Al2 O3 -Al电容器研究......
本文采用射频反应磁控溅射技术,利用高纯Si靶（纯度为99.99%）作为溅射靶材,以高纯Ar、O2分别作为溅射气体和反应气体,在Si（111）基片和Al......
铜在自然界中储量丰富,无毒,价格低廉,它有两种主要的氧化相,分别是氧化铜（CuO）和氧化亚铜（Cu2O）;此外,铜还存在另一种氧化物,为三氧化......
