安全工作区相关论文
分裂栅功率金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET）具有开关速度快、损耗小等优......
氮化镓是一种第三代半导体材料,具有禁带宽度大,击穿场强高,电子迁移率高以及散热性好的特性,目前在商业上已经被广泛应用在射频功......
介绍了5.2kV高压绝缘栅双极型晶体管(HV IGBTs)的成功串联应用。穿通型HV IGBT串联应用时要完全控制感应过电压,最大的障碍是拖尾......
介绍了5.2kV高压绝缘栅双极型晶体管(HVIGBTs)的成功串联应用。穿通型HVIGBT串联应用时要完全控制感应过电压,最大的障碍是拖尾电......
功率半导体器件(亦称电力电子器件)、半导体集成电路和光电器件是当前我国七个战略性新兴产业之一的“新一代信息产业”的基础和关......
英飞凌科技股份公司推出OptiMOS线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻(RDS(on))与平面MOSF......
采用沟槽栅结构、软穿通(SPT)技术和载流子存储层技术研制出一款增强型沟槽栅型(TMOS+)3 300 V IGBT芯片,其具有更低通态压降、更......
通态损耗及开关损耗的降低是高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)设计与制造的关键。基于"U"形增强型双扩散金属氧化物半导体(DMOS~+)元胞......
功率MOSFET是新型半导体器件的代表,作为重要的开关元件广泛应用于各种航天装备电源系统中。为了保证安全工作,其安全工作区的确定......
研究电压暂降下变频器的运行特性对掌握典型敏感设备的安全工作区具有重要意义.提出了一种研究电压暂降下,变频器带不同性质的负载......
用二维MEDICI商用器件模拟软件对双MOS门极控制的发射极开关晶闸管EST(Emitter Switched Thyristor)的正偏置安全工作区FBSOA(Forw......
期刊
安全工作区(SOA)是MOSFET器件设计中的一个关键参数。传统CMOS在衬底电流-栅极电压曲线上只出现一个衬底电流峰值,该峰值可直接反......
文章介绍了高可靠性电力二次系统建设方案。方案基于全面防护、突出重点、分层分区、强化边界、简单性和可靠性的基本原则进行设计......
根据双极型静电感应晶体管的通断特性,提出了开关特性的测试方法.测试和给出了GJI2D双极型静电感应晶体管的开关参数、曲线和反偏......
凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出坚固的800 m A宽输入电压范围线性稳压器LT3089,该器件提供关键的可用性、监视及......
设计了一种利用热插拔保护控制芯片，实现直流升压电路的输出过流、短路保护。分析了直流升压电路以及热插拔保护电路的工作原理及实......
在线计算汽轮机安全运行区对供热机组参与电网＂调峰调频＂至关重要。传统热力性质工况图以供热抽汽流量、汽轮机低压缸排汽流量确定汽......
二极管的反向恢复特性在IGCT-MMC中起着重要的作用。首先介绍快恢复二极管的反向恢复特性,然后在IGCT-MMC拓扑中介绍快恢复二极管......
为实现双馈发电机定子侧有功、无功功率调节时确保转子变流器处于安全工作区，并实现最大限度的风能利用，通过双馈电机等效电路中电压......
功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的热不稳定现象,限制了MOSFET的安全工作区。为得到符合实际的安全工作区,建立了一种分析......
通过对变速调节给水泵运行的经验摸索，强调安全工作区的重要性，列举出7个边缘危险工况点及其运行操作注意事项，使给水泵工作区热工保......
随着集成电路线宽的等比例缩小,可靠性问题日益严重。可靠性设计(Design-ForReliability),即要求设计人员在电路设计时考虑器件可......
一代器件技术决定一代电力电子技术,每一代新型电力电子器件的出现,总是带来一场电力电子技术的革命。绝缘栅双极晶体管作为最有现......
本文阐述了各安全工作区的物理概念和超安全工作区工作的失效机理。讨论了短路持续时间Tsc和栅压Vg、集电极-发射极导通电压Vce（on）......
<正>随着晶体管技术的发展,超高频大功率晶体管得到越来越广泛地应用。近代生产的船用单边带发信机已全部运用了晶体管功率放大器......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
为在实际工程应用中实现更高系统功率密度输出和可靠性要求,基于器件测试平台,对IGBT5大功率芯片P5的开关特性进行了研究,分析了其......
功率半导体器件作为电力电子电路的重要组成部分,自其诞生便以其优异的特性迅速被广泛应用于各种领域。功率器件的热特性日益受到......
功率管保护是通过将其操作限制在SOA的有限V-I平面(plane)区域内,保护电路通常采用返送(foldback)电流限制,但这种方法无法复制SOA......
即使是在插入和拔出电路板和卡进行维修或者调整容量时,任务关键的伺服器和通信设备也必须能够不间断工作。热插拔控制器IC通过软......
研究了一种新的IGBT发射极元胞,并给出其设计方法。该元胞在不影响单位面积有效沟道宽度的情况下,将源衬底的P+区与源N+区并排垂直......
影响逆变弧焊机可靠性的因素很多,开关元器件(如IGBT)的选型设计是其中的关键。根据实践经验,通过分析IGBT的结构特点、参数选择、......
<正>在通信设备中,电源作为系统的心脏其可靠性是不容忽视的,它是通信系统可靠性.的基本保证.本文就如何提高通信电源的可靠性技术......
目前军用背负式电台的散热设计主要是对发射机未级功放大功率晶体管而言的。通常,要求军用背负式电台做到体积小,结构紧凑,重量轻......
本文分析了影响双极型晶体管(BJT)的正向安全工作区(FBSOA)的要素,提出了FBSOA保护的思路和方法,设计了一个能考虑安全工作区(S0A)......
外界温度变化对VDMOS安全工作区域有很大影响,若不能很好地解决热散效应,工作环境温度的升高将会对器件的稳定性、可靠性及使用寿......
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是由双极型晶体管(BJT)和绝缘栅型场效应管(即MOSFET)合成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,具有MO......
并联MOSFET非常适合于在低电压、大电流下工作。基于IRFS4227PBF功率MOSFET,分析和测试了在一定散热环境下MOSFET结温的收敛特性与......
本文研究了功率ＭＯＳＦＥＴ管的安全工作区的计算及绘制方法。在使用功率ＭＯＳＦＥＴ器件时，应根据应用具体条件（如散热器热阻、环境温度、工作电流和电压）重......
<正>引言IPM智能功率模块是先进的混合集成功率器件,由高速、低功耗的IGBT芯片和优化的门极驱动以及保护电路构成。由于采用了能连......
LDMOS(Lateral Double-Diffused MOSFET)作为一种横向功率器件，其电极均位于器件表面，易于通过内部连接实现与低压信号电路以及其它......
直流大电流在电力系统和电解电化等行业有着广泛的应用,随着直流大电流的使用范围越来越广阔,对直流大电流计量装置的要求也越来越......
<正> 交流电机的变频拖动,可使普通交流电动机实现高性能无级调速及高效节能,因此在各行业中越来越普及。在众多种类的逆变器中,GT......
<正> 给出完善可信的极限参数是提高功率晶体管使用可靠性的一个重要因素。目前我国晶体管手册中对功率晶体管给定的极限参数一般......
本文论述了功率MOSFET数据表中安全工作区每条曲线的含义,详细说明最大的脉冲漏极电流的定义。分析了基于环境温度、最大允许结温......
