分裂栅功率金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET）具有开关速度快、损耗小等优点,广泛应用于通信、工业自动化、交通运输及消费电子等领域。热插拔技术能够在不中断系统工作的条件下对系统进行维护,从而提高系统的可靠性。热插拔技术要求功率MOSFET器件在高压大电流条件下工作更长时间（毫秒级）,即具有更宽的安全工作区（Safe Operating Area,SOA）。然而,分裂栅功率MOSFET器件为了获得更低的特征导通电阻,不断减小芯片面积,导致其SOA大大缩小,无法满足热插拔技术的要求。本文旨在对传统分裂栅MOSFET器件的SOA进行优化,设计具有宽SOA的分裂栅功率MOSFET器件。本文首先对分裂栅功率MOSFET器件的工作原理进行介绍,详细阐述了器件的电学特性与安全工作区。然后对器件超出安全工作区的失效机理进行分析,发现二次击穿是导致器件失效的主要原因,而二次击穿主要与温度系数有关。随后,分析了P型体区掺杂浓度等参数对温度系数的影响。在此研究基础上,首先提出了断沟道分裂栅具有宽SOA的器件结构。断沟道结构通过减小器件沟道宽度实现宽SOA的效果,但是该结构会增加器件的导通电阻。为此,在断沟道的基础上提出了一种新型复合栅结构,该结构通过引入平面栅,可在不增加导通电阻的前提下实现更宽的SOA。因此复合栅功率MOSFET器件具有最优结构。仿真结果显示,设计的复合栅功率MOSFET器件击穿电压为108V,阈值电压为4.2V,特征导通电阻为4.85mΩ/cm~2,SOA二次击穿限为38A/cm~2(Vds=56V,time=10ms),各项性能参数均达到设计指标要求。