抗辐照加固相关论文
研究了能量为1 MeV的电子辐照对三结GaAs激光电池（LPC）性能的影响。不同剂量电子辐照后三结GaAs LPC光照下的I-V特性测试结果表明，三......
绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管（SOI-LIGBT）是单片智能功率芯片中的最核心元件,采用SOI衬底可以有效提升器件的抗空间辐照能力,受......
高压模拟开关芯片作为桥接模拟与数字信号的桥梁,被广泛应用于各类卫星机等航天系统的数模控制系统中。而目前市面上的模拟开关无......
宇宙空间存在多种高能粒子,这些高能粒子进入半导体器件会引发辐射效应并最终导致电子系统失效,其中总剂量效应和单粒子效应是两种......
航空航天工程师我国未来发展方向之一,而航空航天对我国的发展有着不可缺少的促进作用,在如今生活的方方面面,中国人民也享受这航......
600V LDMOS在集成电路中被广泛应用于各种功率转换的集成电路中,如开关电源电路、半桥驱动、高压栅驱动电路等。在航空航天辐射环......
社会在日新月异地朝着现代化、信息化的方向发展,航天航空技术也在蓬勃地发展着。航空器的工作需要不同的电子设备支撑,集成电路在......
伴随核能与空间技术的快速发展,SiC MOSFET等高压大功率器件的应用不断增加,其因环境中的高能粒子辐射所引起的单粒子效应问题(如......
期刊
随着航天事业发展,锁相环作为航天器核心器件之一的集成电路,对其性能和可靠性的要求也越来越高。随着集成电路工艺节点的不断向前......
电容式加速度传感器是目前研究最多的一类加速度传感器。随着我国航空航天事业的蓬勃发展,加速度传感器作为导航制导的关键器件广......
InP基高电子迁移率晶体管（HEMT）具有高频率、高增益、低功耗和低噪声等优异特性,在高速卫星通讯、高精度深空探测等空间设备电子系统......
InP基高电子迁移率场效晶体管（HEMT）具有电子迁移率高，噪声低，功耗低以及增益高等优点，在国防航天和卫星雷达等空间应用中具有极大的潜......
通过分析低压MOS中存在的漏电路径,针对高压LDMOS面积大,最小宽长比有限制的特点,提出了一种更加适用于高压LDMOS的新型抗总剂量辐......
针对静态随机存取存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)在星载波控单元应用中存在单粒子翻转效应的问题,提出一种基于自主刷新控......
设计了一个低功耗抗辐照加固的256kbSRAM。为实现抗辐照加固，采用了双向互锁存储单元（DICE）构以及抗辐照加固版图技术。提出了一种新......
针对航天器应用,提出了一种多功能、三通道高可靠速率可达200 Mb/s的SpaceWire节点控制器设计实现方案.通过DS高速时钟恢复技术、......
介绍了一种低功耗的抗辐照加固5 V1 Mbit.s-11553B总线差分接收器的研制,该电路可实现总线信号接收的功能。电路设计采用商用BCDMO......
当普通EEPROM单元在太空中应用时,会受到辐照效应的影响,导致单元可靠性降低,寿命缩短,为此,基于0.18μm工艺,设计出一种新型抗辐......
随着科技的不断进步,国家在军事和航天航空领域对于抗辐照加固的集成电路芯片的需求越来越迫切,而高速串行接口作为很多电子系统的......
集成电路技术的发展为丰富航天元器件的功能带来了无限可能,但先进工艺元器件在辐射环境下的工作可靠性也将面临新的挑战,因此开展......
针对空间应用的高速串行接口芯片易受单粒子辐照而出现误码的问题,提出了一种面向空间辐照环境的星载高速数字接口芯片设计方法。......
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就金属_氧化物_半导体（MOS）器件和双极器件混合结构（BICMOS）电路的抗辐照加固技术的设计而言,器件种类多会导致在硅工艺实现上的复杂性......
介绍了空间辐射环境及电子元器件抗辐照处理的必要性;阐述了影响抗辐照加固性能的主要因素。结合实际工程应用,对于抗辐照加固工艺......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
高可靠混合集成电路(HIC)在航空、国防等领域均有广泛的应用.本文首先从空间应用和国防需求两方面阐述了提高HIC抗辐照能力的战略......
随着物联网的发展以及人工智能的兴起,芯片的需求变得越来越多样化。传统的芯片开发模式设计周期长、投资风险高,这些因素严重影响......
随着集成电路逐渐发展到深亚微米级,电路的可靠性问题越来越值得关注。不仅在航空航天领域,低海拔工作的电路也可能发生软错误。同......
介绍了航天大功率器件的钽皮抗辐照加固工艺过程。针对功率器件底部散热型和顶部散热型的不同特点，分别设计有针对性的加固方式，在确......
光电耦合器的核心模块是光电探测芯片。介绍了一种抗辐照光电探测芯片的设计,该电路基于 0.5 μm 标准互补金属氧化物半导体(CMOS)......
SOI器件和电路具有良好的抗单粒子效应和瞬时辐照效应的性能，被广泛地应用于各种抗辐射领域。但是埋氧层的存在使得SOI技术的辐照效......
随着集成电路行业的迅速发展,片间数据传输速率成为制约芯片性能的主要因素,高速数据传输接口引起了广泛的研究兴趣。串行解串器(S......
辐射环境中的高能粒子入射半导体材料时,其轨迹上淀积的电荷将被敏感节点收集,引发单粒子效应。单粒子效应将引起存储数据错误,影......
SOI器件辐射效应一直以来都是SOI器件辐射加固技术的重要研究内容，尤其是总剂量辐射效应方面的研究。由于SOI器件具有多个易受辐射......
