气相外延相关论文
芬兰阿尔托大学和硅晶圆企业Okmetic公司合作,就以金属有机物气相外延(MOVPE)方式在6英寸绝缘体上硅(SOI)衬底上生长氮化镓(GaN)展......
最近,松下电器公司光半导体研究所以有机金属气相外延(MOVPE)法开发Ⅱ-Ⅲ族化合物半导体的超晶格制作技术,以此在Ⅲ-Ⅴ族化合物半......
采用HVPE法,通过改变Ⅴ/Ⅲ生长厚层GaN基片.分别采用X射线双晶衍射摇摆曲线、拉曼光谱及扫描探针显微镜进行生长晶体结晶质量和显......
利用ＳＥＭ，ＥＤＸ研究砷化镓气相外延层表面缺陷与衬底缺陷的关系，进一步揭示了砷化镓衬底缺陷对砷化镓外延层质量的影响。......
随着科学技术的发展和人民生活水平日益的提高,小型化、低功耗与易于携带的产品成为人们不断追求的目标。低维的纳米材料正好提供......
回顾了GaN体单晶材料的发展历程并介绍了研究现状。主要讨论了HVPE法和气相传输法等气相生长方法，以及HNPSG、助溶剂法、氨热法、提......
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期刊
绝缘体上的硅(SOI)材料以其独特的结构在低压、低功耗电路,高温、抗辐照器件和光电子学等方面都有广泛的应用,并且与成熟的硅工艺......
通过气相外延技术生长了Au掺杂的Hg_（1-x）Cd_xTe薄膜材料。利用傅里叶光谱仪和金相显微镜对外延材料进行了表征。通过二次离子质谱（Se......
在本文中,我们先对前此提出的n型砷化镓的一个结构缺陷模型作一扼要的叙述,然后将模型指出的二个深受主能级,与文献报道的一些实验......
OMV法非有意掺杂外延GaAs的载流子浓度受外延气氛中As/Ga值的控制。本研究中发现: As/Ga值等于十四左右, N型外延GaAs的迁移率有一......
ZnO是一种多用途的半导体材料。传统上，被广泛应用于声表面波器件（SAW），体声波器件（BAW），气敏元件，变阻器，透明电极等。和GaN相比，ZnO的缺陷......
ＭＯＣＶＤ是一门制造化合物半导体器件的关键技术－ 本文综合分析了现代ＭＯＣＶＤ 技术的基本原理、特点及实现这种技术的设备的现状及其发展－ 重点讨论......
结合863，973任务本课题组自行设计的一套专门用于厚膜GaN材料生长的水平式双温区HVPE系统。为了优化反应室的结构，本论文利用计算流......
