薄膜层相关论文
利用脉冲准分子激光（工作气体ＸｅＣｌ，波长３０８ｎｍ，脉宽２８ｎｓ）在外延ＹＢＣＯ／ＬａＡｌＯ３（１００）单晶基片上淀积了Ｐｂ（Ｚｒ０．５５Ｔｉ０．４５）Ｏ３铁电薄膜，ＹＢＣＯ薄膜既为生长高取向ＰＺＴ薄膜提供了晶体匹配条件，同时也为ＰＺＴ铁电薄膜......
论述了全固态电致变色薄膜器件的结构和变色机理，讨论了制备工艺参数对ｗｑ３薄膜和Ｖ２Ｏ５薄膜特性的影响。提出了一种新的电致变色薄膜的理化方......
本文报道采用简便的真空反应法在Ｓｉ（１１１）衬底上生长出了六方结构的ＧａＮ单晶薄膜，并对ＧａＮ薄膜的表面形貌、结晶学性质和光学特性作了研究．ＳＥＭ表明外延层......
真空蒸发制备每cm~2几到十几μg厚的薄膜层很难控制,为此在真空蒸发装置上增设石英微量天平控厚。我们用背散射技术测定了用上述......
通过双温模型研究了飞秒激光照射单层银薄膜和银/金、银/铜双层金属薄膜时的热行为,计算获得了相应电子温度和晶格温度随着时间和......
采用532nm波长的纳秒脉冲激光对由直流磁控溅射法制备的Ti/FTO复合薄膜表面进行了辐照处理,研究了激光能量密度对薄膜的表面形貌、......
采用射频磁控溅射法,以铌靶和硅靶为靶材,在玻璃基片上沉积了NbSiN薄膜。研究了硅靶、铌靶功率、氮气流量以及溅射时间对薄膜光学......
嘿，大家好，我就是今天的主角—打印机。你对我一定不陌生吧。把白纸放在我的胸前，轻轻一点鼠标，“呼呼—”，我就能吐出满是文字或者图片......
提出了一种新的电致变色薄膜的锂化方法。通过电子枪蒸镀锂单质，提高了锂的离化率，从而提高了锂化效果。采用此技术研制的全固态电致......
必须承受高功率激光输出的光学元件一般都需要涂高功率薄膜。这些涂层可以是反射、透射、偏振或分束。重要的是要指出，根据应用的不......
北京农业大学植保系研制的无毒高脂膜,是一种广谱保护剂,该药喷在铃体表面后,能形成一层连续的薄膜层,使其不受外界病菌侵染。198......
以聚氨酯为中心介质组成光学变色薄膜，当有自然光进入光学变色薄膜，随着入射光和视角的变化在薄膜上可以看到明显的光变色效果。这种......
提出了一种用X射线反射术标定光谱椭偏仪的方法.作为一种间接测量方法,光谱椭偏术测得的薄膜厚度依赖于其光学常数,不具有可溯源性......
采用室温溅射沉积和空气热氧化方法低成本地制备出纳米结构热致变色节能薄膜。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、激光拉曼光谱仪......
由于光学薄膜的透射光谱和反射光谱受表面粗糙程度的影响很大,因此在确定表面粗糙薄膜的厚度及光学常量时,如果不考虑这种影响必然......
薄膜设计和制造技术的不断进步使光学镀膜的品质和性能不断完善,薄膜制造的所有阶段实际上正经历重大变革。例如基底清洁是获得高......
采用电镀法和磁控溅射法设计了一种电镀增敏铜薄膜和耐海水腐蚀碳薄膜的微型光纤布拉格光栅(FBG)温度传感器。当海水温度范围为0~5......
澳大利亚科学家通过观察死亡的蛤蚧卵内壳层和薄膜层,惊喜地对外宣称他们发现了沙门氏菌侵入鸡蛋的方式,但这种方式可能只是加拿大......
上海东智屏科贸有限公司的“爱能牌”极亲剂独特的节能机理在于其有极性活化分子,这种携带负电荷的分子对金属表面正电荷有极强的......
介绍了表面粗糙系数（Ｒｓ）及截面线波动系数（Ｒ１）的概念及它们之间的关系，以普通电弧喷涂，高速电弧喷涂ＦｅＣｒＮｉ涂层为例，介绍了计算Ｒｓ及ＲＬ的步骤，以及如何应用......
生物芯片由膜、玻璃、硅等固相介质为载体而组成.它最大的优点在于大规模、并行化、微制造.在芯片的单位面积上可高密度地排列大量......
感光制版法最早在1954年得到重视,涉及的专利申请源自于英国（GB709809A）,热敏制版法最早是在1968年得到重视,涉及的专利申请源自于日......
<正>据悉,BASF聚氨酯泡沫体系Elastoflex E,将首次大批量生产一种汽车外部配件,蜂巢夹层结构内嵌顶级薄膜,状如三明治。新型智能天......
一、什么是印刷上光所谓印刷上光,就是在已经全部完成图文印刷的复制品表面,用实地印版或图文印版经印刷机再印一次或两次上光油,......
本论文的主要工作是对常规工艺下和离子辅助条件下沉积薄膜的特性进行比较研究，研究的薄膜包括单层膜和多层膜。 1、单层膜的研......
1.6μm波长的光由于与硅光纤低色散和低损耗的波长一致,以及极好的人眼安全特性,因此在光纤通信、光传感定位和中红外参量振荡的抽......
随着电子设备向小型化、轻量化、薄形化、高频化、低损耗和高可靠性方向的发展,对电子元件及材料的要求是朝着进一步小型化、集成......
本论文包括以下两部分：1.水溶性CdTe量子点的合成及其薄膜的自组装分别选择巯基乙酸(TGA)和巯基丙酸(MPA)在水相中合成了高荧光的Cd......
ZnO是一种多用途的半导体材料。传统上，被广泛应用于声表面波器件（SAW），体声波器件（BAW），气敏元件，变阻器，透明电极等。和GaN相比，ZnO的缺陷......
ZnO是一种新型的Ⅱ—Ⅵ族宽禁带半导体材料,具有许多优异的性能。但由于晶体中存在诸多本征施主缺陷（如氧空位Vo和间隙锌Zni）,对受主......
