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氮化铜（Cu3N）薄膜是一种在常温下处于亚稳态的半导体材料。它的热分解温度仅为300-450℃，有较高的电阻率以及在红外光和可见光波段有......
石墨材料的基本单元是石墨烯。石墨烯是由单层碳原子规则排列成蜂窝状晶格结构的一种碳质新材料。它具有一些独特的物理特性，这些特......
氮化铜(Cu3N)作为一种可应用于光存储器和高速集成电路的新材料,已然成为一个研究热点。Cu3N是一种具有较高电阻率、较低热分解温......
本研究采用射频反应磁控溅射法,分别在玻璃基片上制备了Tb掺杂Cu3N薄膜和TiN薄膜,采用表面形貌仪、X射线衍射仪、X射线能谱仪、四......
近年来,反钙钛矿结构化合物吸引着越来越多的人关注。反钙钛矿结构是相对于钙钛矿结构而言的,在钙钛矿结构化合物ABO3（A为稀土金属......
随着20世纪中后期摩尔定律(Moore’s Law)的提出,现代化集成电路(IC)工艺在20世纪后半叶及21世纪得到了日新月异的,并且是突飞猛进......
金属化是现代IC工艺的一个重要组成部分,目前铜已经取代铝而成为主流互连材料。铜互连纳米多层膜体系的力学特性,如硬度与弹性模量......
近年来，低维纳米材料以其在电学、光学、磁学、力学和热学方面展现出优异的特性，从而在纳米器件、传感器、激光器等方面具有应用前景......
微型化作为科技发展的趋势,使得纳米材料的研制和开发成为近10几年来的研究热点。其中一维纳米结构如纳米线、纳米棒、纳米管等等......
