薄膜质量相关论文
自2009年来,有机-无机卤化铅钙钛矿太阳电池(PSCs)在光伏领域取得了显著的进展,引起了全世界研究人员的广泛关注。目前,经过认证的单......
钙钛矿太阳电池因其具有强吸收、高迁移率、载流子寿命长、可调控带隙以及可采用多种方式加工等优势备受研究者关注,目前钙钛矿太......
二氧化钒是一种具有特殊相变性能的功能材料.随着温度的变化,二氧化钒会发生从半导体态到金属态的可逆变化,同时,电阻率和光谱透射......
采用蒙特卡罗(Monte Carlo)模拟方法,研究了初始烧蚀粒子总数对其传输中的密度和速度及环境气体密度分布的影响。结果表明,随着烧......
利用XeCl(308nm)脉冲准分子激光淀积技术在功率密度5×108W/cm2、室温、真空度10-3Pa的条件下,制备出不含氢成分的类金刚石薄膜,研究了类金刚石薄膜的特性及其随......
研究了磁控溅射制备的Ag5In5Te47Sb33相变薄膜的光谱及短波长静态记录性能。研究结果表明,晶态薄膜反射率较高,并在600~900nm波长范围内,晶态与非晶态的反射率......
报道了分子束外延生长 Hg0.68 Cd0.32 Te 材料的光致发光测量结果。研究了原生样品和退火处理样品、以及氮离子注入样品的低温光致发光特征。对光......
膜厚均匀性是评价光学薄膜的重要标准之一。膜厚均匀性不好,膜系特性就会遭到严重破坏。作为用于光学薄膜的主要低折射率材料,SiO2......
锂微电池可广泛应用于智能卡、CMOS基集成电路和微设备等领域,是近几年电池研究的主要方向之一。近年来,尽管一些全固态薄膜锂微电......
太阳能选择吸收薄膜是一种可以实现光热转换的功能薄膜材料,属于一种新型能源材料,能够为人类提供一种高效利用太阳能的方式。在能源......
金刚石具有独特的物理化学性能,化学性质稳定,硼掺杂金刚石(BDD)薄膜不仅是宽禁带的半导体材料,同时又具有优异的物理和化学特性,因而......
本工作采用苯胺分散聚合体系,分别选用水溶性高分子-聚乙烯吡咯烷酮(PVP)与聚乙烯醇(PVA)为空间稳定剂,在玻璃表面原位沉积制备高质......
为提高背照式图像传感器在减薄工艺后引入氧化铝钝化层的质量,从表面钝化及原子层淀积过程的原理分析出发,设计一套实验,详细考查......
综述了PbSe薄膜的制备方法,比较了各种制备方法的优点.重点探讨了温度、薄膜厚度和缓冲层对PbSe薄膜质量的影响.概述了PbSe薄膜在......
有机-无机杂化钙钛矿材料(简称钙钛矿)因其具有光吸收系数高,电荷扩散长度大,吸收光谱较宽等特点而成为极具潜力的太阳能电池吸光层材......
本文使用脉冲激光沉积(PLD)的方法在蓝宝石(0001)晶面上制备β-Ga2O3薄膜,并且系统的研究了制备过程中氧气压力对它的结构和性质的影响......
用氮化处理的方法对Si衬底的表面进行钝化,外延生长出高质量的ZnO薄膜.ZnO薄膜的质量通过X-射线(XRD)、阴极射线(CL)谱和光致发光(......
<正>亚太区领先的薄膜装备制造商,金明公司在第三十届国际橡塑展期间通过互联网技术及最新的信息化技术展示了Superex系列五层吹膜......
有机薄膜半导体器件在微电子和光电子领域具有重要的研究与应用价值,其成膜质量是影响器件性能的重要因素,如空间分布的均一性.采......
钙钛矿太阳能电池(PSCs)因其高的能量转换效率,低成本的制备原料,简单的器件制备工艺等优点而引起了学术界和产业界的广泛关注。一般......
温室采光面的棚膜发生滴水现象,一是因为选用的无滴薄膜质量差,蒸发的水分,在薄膜内表面上不是汇流下去,而是形成水珠滴落;二是因为薄膜......
在引进的韩国微波等离子化学气相沉积(MPCVD)设备中,利用氢气和甲烷作为气源,在单面抛光的(100)单晶硅片上研究了不同的形核温度和生长温......
有机-无机钙钛矿材料因其优良的光学性能、高扩散系数、高载流子迁移率,已经成为光伏电池的新兴材料。为实现太阳能电池的商业化,......
采用弯曲磁过滤真空阴极放电弧离子镀法制备高质量TiN薄膜。用场致发射电子扫描显微镜观察薄膜表面与截面形貌。分析弯曲磁过滤对......
采用微波等离子体化学气相沉积法在硬质合金基体上制备金刚石薄膜.研究了铜过渡层和酸蚀脱钴两种基体前处理工艺以及在施加铜过渡......
近年来,钙钛矿发光二极管(Perovskite light-emitting diodes,PeLEDs)由于具备发光波长易调节、发光色纯度高、可用溶液法制备、成本......
在2 kW微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置中,采用CH4和H2作气源,在最佳生长工艺参数条件下,可重复制备出高质量的金刚石薄膜。......
碳基钙钛矿太阳能电池因稳定性高、成本低廉而备受关注,但由于钙钛矿与碳电极之间能级匹配度不高,界面阻力大而导致效率不及金属基......
金刚石具有独特的物理化学性能,化学性质稳定,硼掺杂金刚石(Boron-doped Diamond, BDD)薄膜不仅是宽禁带的半导体材料,同时又具有......
ZnO是一种具有纤锌矿晶体结构的直接宽带隙半导体材料,禁带宽度为3.37eV,室温下激子束缚能高达60meV,高于ZnSe和GaN。是一种理想的蓝......