薄膜特性相关论文
采用直流磁控溅射法，结合氧化法热处理在硅基底上制备VO2薄膜，通过SEM、XRD、XPS、FTIR红外透射率等测试，从多角度分析了氧化热处理对......
目前，(PEA)2SnI4是二维有机无机金属卤化物钙钛矿薄膜场效应晶体管中研究最广泛的沟道材料，其主要问题是空气中Sn2+氧化和钙钛矿薄膜......
在半导体薄膜生长过程中,需要对半导体薄膜的特性(如薄膜应力、生长率、厚度、折射率等)进行实时检测,以实现对其生长过程进行精密......
论述了全固态电致变色薄膜器件的结构和变色机理，讨论了制备工艺参数对ｗｑ３薄膜和Ｖ２Ｏ５薄膜特性的影响。提出了一种新的电致变色薄膜的理化方......
研究了离子束溅射(IBS)制备的Nb2O5薄膜的光学特性、应力、薄膜微结构等特性,系统地分析了辅助离子源的离子束能量和离子束流对薄......
TiO_2薄膜是重要的半导体和光学材料，而目前鲜有TiO_2陶瓷靶应用于直流溅射法制备TiO_2薄膜。本文中，纯TiO_2和2.5wt%Nb掺杂TiO_2陶......
学位
薄膜特性的实时检测技术是薄膜技术中非常重要的方面。在薄膜生长过程中,需要对薄膜的诸多特性进行实时检测,进而对其生长过程进行......
湿度传感器在生产与生活各方面都有广泛的应用。为了将传感器与控制电路集成，需要研制硅衬底薄膜型湿敏元件。本文从这一目的出发，研......
单源真空共蒸发制备CuInS2薄膜,氮气保护对薄膜进行适当的热处理。研究不同Cu、In、S元素配比和热处理条件对薄膜性能的影响。采用......
本文在前人研究工作的基础上，针对我国目前土石坝上工薄膜防渗结构设计和应用的需要，围绕土石坝土工薄膜防渗结构的优化设计作了部分......
本工作采用脉冲激光烧蚀技术,在10 Pa的Ar气环境下,沉积制备了一系列纳米Si薄膜,并利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、......
ZnO:Al(AZO)薄膜因其低电阻率与高可见光区透射率有望替代ITO,成为主要的透明导电氧化物(TCO)材料。相对于ITO材料,AZO薄膜原材料......
采用电子回旋共振化学气相沉积(ECR-CVD))方法在基片Si(100)上镀制了厚度为80m的氮碳膜(CNx膜),并研究了CNx膜的机械特性、摩擦特......
采用直流磁控溅射法,结合氧化法热处理在硅基底上制备VO_2薄膜,通过SEM、XRD、XPS、FTIR红外透射率等测试,从多角度分析了氧化热处......
文章报道了采用液相外延方法，在碲锌镉衬底上进行碲锌镉薄膜缓冲层生长的情况，并且采用X光双晶衍射仪、X光形貌仪、红外傅里叶光谱仪......
采用以低压氙（Xe)气激发真空紫外光作光源，以SiH4和O2作反应气体的直接光CVD技术淀积SiO2薄膜。通过椭圆偏振法、红外光谱法、C－V特性......
在不同的氧分压下用电子柬热蒸发的方法制备了氧化锆薄膜。用扫描探针显微镜、X射线衍射仪和分光光度计分别对薄膜的表面粗糙度、......
采用JGP-300型超高真空磁控溅射镀膜机在蓝宝石衬底上制备了Ni O薄膜。通过X射线衍射（XRD）仪、原子力显微镜（AFM）、紫外-可见分光光度......
酞菁配合物是一类重要的光电功能材料。由于它的特殊结构使其成为高灵敏度高选择性气敏材料，具有极好的应用前景。本文在介绍酞菁配......
采用离子束反应溅射、等离子体辅助、射频离子源辅助、Kaufman离子源辅助比较不同制备方法对薄膜性能的影响.镀制了Ta2O5、SiO2两......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
利用离子束辅助沉积(IAD)技术制备了单层HfO2薄膜,离子源分别为End-Hall与APS离子源。采用Lambda900分光光度计、可变角光谱椭圆偏......
在室温下,利用直流磁控反应溅射法分别在硅片和石英玻璃上制备IGZO薄膜。通过控制溅射时氧分压的不同,研究其制备IGZO薄膜的微结构......
超低损耗薄膜在光学仪器中得到了越来越广泛的应用。离子束辅助沉积技术是在真空镀膜的基础上发展起来的,克服了传统热蒸发技术存......
运用电子束、离子辅助和离子束溅射三种镀膜工艺分别制备光学薄膜,包括单层氧化物薄膜和增透膜,然后采取一系列测试手段,如Zygo轮......
在半导体薄膜生长过程中,需要对半导体薄膜的特性(如薄膜应力、生长率、厚度、折射率等)进行实时检测,以实现对其生长过程进行精密......
该研究旨在探索不同时长等离子体(Plasma)处理对复合蛋白基成膜溶液性能的影响。为此,采用功率为30 W的大气压Plasma对WPI-NaCas-G......
