负电子亲和势相关论文
光电子技术作为我国科技发展最为重要的支撑技术之一,已在信息科学、通讯、航空航天、国防安全等领域发挥着极为重要的作用。从材......
以“三步发射模型”为基础， 采用积分的方法推导出反射式和透射式负电子亲和势（ Ｎ Ｅ Ａ）光电阴极的量子产额表达式， 其中反射式阴极的表达......
利用自行研制的超高真空激活系统与表面分析系统,通过X射线光电子能谱(XPS)分析确定了采用的GaN(0001)化学清洗配方的有效性,并通......
GaN紫外光阴极是一种表面具有负电子亲和势(NEA)状态的光电发射材料,具有电子发射效率高、暗发射小、稳定性好等众多优点,是近年来......
砷化镓（GaAs）负电子亲和势（NEA）光电阴极由于优异的性能,自60年代发现以来,获到了迅猛发展和广泛研究.由于缺乏分析GaAs光电阴极激活工......
负电子亲和势(NEA)光电阴极,由于其优异的性能,受到各个国家广泛的关注,并投入大量的人力、物力进行了多年的研究.中国开展相关研......
随着电子技术的发展，二次电子发射得到愈来愈广泛的应用，因此，二次电子发射现象引起了人们的极大的兴趣，人们对各种物质二次电子发射的......
回顾了NEA光电阴极不同的表面模型,对异质结模型、偶极子模型和铯的弱核力效应进行了重点介绍.异质结模型可以成功解释P型GaAs和(C......
分析了NEAGaN光电阴极的产生背景，介绍了NEAGaN光电阴极的结构以及工作模式，研究了GaN光电阴极的光电发射机理以及NEA特性的形成原因......
本文通过对次级发射的背景和国内外同行的研究介绍,显示了次级发射研究在真空电子器件中的重要性。同时,介绍了在次级发射研究上的......
研究了B掺杂金刚石膜的负电子亲和势（NEA）的行为。对于B2H6/CH4为10 mg/L和2 mg/L的样品,一次电子能量为1 keV时最大二次电子发射系......
高温退火与Cs/O激活是形成负电子亲和势GaN光电阴极的外来诱因,GaN材料本身性能是影响阴极形成的内在因素。针对均匀掺杂和梯度掺......
模拟光电阴极灵敏度测试仪对GaAs阴极激活光源进行校准,并对透、反射阴极光电流比值对灵敏度的影响进行了讨论,实验结果证明,P+衬......
为了客观评价光电阴极的性能,提高其光电发射水平,在深入研究光电阴极光谱响应测试原理的基础上研制了国内首台光谱响应测试仪.利......
根据通常负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的能级特点，提出延长负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的逸出深度的理论设计，设计出......
Ⅲ-Ⅴ族半导体负电子亲和势（NEA）光电阴极智能激活测试系统是为研究、制备NEA光电阴极材料提供的一个多信息实验数据自动采集和处理......
为了得到铯吸附与阴极电子亲和势变化之间的定量关系,利用NEA光电阴极激活评估实验系统对GaN光电阴极进行了铯激活.根据半导体光电......
在已有的负电子亲和势(NEA)光电阴极特性评估技术的基础上,研制了三代微光器件的测试和评估系统工程样机,用于对三代微光器件的光......
采用低压金属有机化学气相沉积法在蓝宝石（0001）衬底上生长2-5μm厚度的P-AlxGa1-xN/GaN层（0〈X≤0.4）,在AlxGa1-xN层中的Al浓度为0.2......
研究了光照强度和残余气体对阴极稳定性的影响,比较阴极在管壳内和激活室内的阴极稳定性,用俄歇谱仪分析激活的GaAs光电阴极表面和......
本文围绕纤锌矿结构GaN光电阴极的(0001)面光电发射模型、量子效率理论、材料结构设计与生长、制备工艺和阴极性能评估等方面开展......
GaN阴极中光电子的发射分为价带电子的激发、光生载流子的输运和载流子的发射3个阶段。分析了激发阶段GaN光电阴极中电子吸收入射......
在自行研制的负电子亲和势光电阴极性能评估实验系统上,首次利用动态光谱响应技术和变角X射线光电子能谱(XPS)表面分析技术研究了G......
针对负电子亲和势(NEA)GaN光电阴极成功激活后的量子效率问题,利用自行研制的紫外光谱响应测试仪器,测试了成功激活的NEAGaN光电阴......
介绍了延长负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的逸出深度的设计,并给出了经过特殊设计的这种砷化镓的能级示意图,然后对通常的砷......
负电子亲和势（NEA）光电阴极和微通道板（MCP）的结合产生了三代像增强器，由于这类像增强器具有优良性能，在发现后的短短数十年中获得了迅猛......
金刚石薄膜由于可具有特殊的负电子亲和势表面和优异的综合性能,作为冷阴极发射材料在高频、高温、大功率电子器件及真空电子器件......
一直以来,GaN基半导体材料生长技术的不完善,极大制约了基于NEA GaN光电阴极的发展,然而随着近年来材料生长技术的突破,对NEA GaN......
负电子亲和势(NEA)光电阴极由于其优越的性能，在近几十年中取得了迅猛发展，已广泛用于第三代、第四代像增强器中。我国NEA光电阴极的......
采用低压金属有机化学汽化淀积法在蓝宝石(0001)衬底上生长2~5μm厚度的P-AlxGa1-xN/GaN层(0...
利用自行研制的光电阴极激活评估实验系统,给出了GaN光电阴极Cs激活及Cs/O激活的光电流曲线.针对GaN光电阴极的负电子亲和势(NEA)......
负电子亲和势GaN光电阴极在紫外探测技术领域具有诱人的应用前景。本文在介绍和分析负电子亲和势GaN光电阴极的特点、工作原理及其......
分析正、负电子亲和势在发射机理上的差别,重点阐述 GaAs 光阴极的设计原理。讨论这种阴极参数的设定依据,扼要介绍它的主要制作工......
