【摘 要】
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砷化镓（GaAs）负电子亲和势（NEA）光电阴极由于优异的性能,自60年代发现以来,获到了迅猛发展和广泛研究.由于缺乏分析GaAs光电阴极激活工艺和表面层结构的有效手段,激活工艺的研究
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砷化镓（GaAs）负电子亲和势（NEA）光电阴极由于优异的性能,自60年代发现以来,获到了迅猛发展和广泛研究.由于缺乏分析GaAs光电阴极激活工艺和表面层结构的有效手段,激活工艺的研究仍处于半经验状态,对阴极表面层厚度、组成、界面连接的分析仍然半定量的,界面势垒形成的原因还不清楚,从而妨碍此类阴极灵敏度的进一步提高.特别在国内,三代微光管还处于研制水平,未达到实用,这与GaAs光电阴极性能和激活工艺密切相关.针对这种状况,作者开展了以下几方面的工作,并获得了一些有益结果.1.研制了NEA光电阴极超高真空激活系统,引入了动态光谱响应测试装置,与X射线光电子能谱（XPS）仪相连接,建成了NEA光电阴极超高真空激活评估系统.2.在分析变角XPS原理和理论的基础上,引进了新算法,编制了变角XPS定量计算软件.3.在国内外首次用原位光谱响应技术研究了GaAs光电阴极的激活工艺,用变角XPS研究了GaAs表面的热净化过程.4.用变角XPS定量分析技术和量子力学方法研究了阴极表面和激活工艺.
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