超深亚微米相关论文
数字高清晰度电视(Digital HDTV)是当代最先进的图像压缩编码技术和现代通信技术的结合，已成为当今世界高技术竞争的焦点。它的推出......
当代超大规模集成电路设计与制造技术日趋成熟。微处理器,特别是嵌入式微处理器的设计实现以其低功耗、高性能之特征发展迅速。简......
E-fuse（Electricallyprogrammablefuse，电可编程熔丝）广泛地应用于超大规模芯片的设计中，在芯片中实现冗余的功能。本文在HUALI55nm标......
1.简介rn如今,无线电源管理设计工程师在I/O接口、能量管理以及电池使用寿命方面面临着新的挑战.随着蜂窝电话变得越来越先进,系统......
EDA技术是现代电子设计技术的核心,它在现代集成电路设计中占据重要地位.随着深亚微米与超深亚微米技术的迅速发展,FPGA设计越来越......
在超深亚微米时代,功耗不但直接影响芯片的封装测试成本,而且过高的功耗将导致芯片热量的增加,影响着芯片的可靠性,为了保证芯片测......
光学邻近效应校正（OPC）是下一代集成电路设计和生产的重要工具。但是在OPC中，为了寻找合适的掩模补偿图形，必须迭代计算大量的空间稀疏......
超深亚微米(VDSM)工艺下,集成电路的高频、高集成度趋势使互连线间电磁耦合作用不容忽略.首先回顾了典型电感提取方法及实际应用中......
本文基于超大规模集成电路特征尺寸进入超深亚微米层次下的金属互连(interconnects)特性,研究并提出了布局布线优化步骤:局部布局......
集成电路的集成度不断攀升,集成化器件的特征尺寸已进入超深亚微米层次.小尺寸制造进程、超微细结构及超低功耗的工作环境,使诸多......
采用基于物理模型的α指数MOSFET模型,对超深亚微米(VDSM: Very Deep Submicron)SRAM存储单元的静态噪声容限(SNM:Static Noise Ma......
探讨了超深亚微米设计中的高速互连线串扰产生机制，提出了一种描述高速互连串扰的电容、电感耦合模型，通过频域变换方法对模型的有效......
首先介绍了集成电路TCAD虚拟工厂系统Tauru Worbench,基于CMOS工艺的特点,在Taurus Workbench环境下进行了深亚微米级N沟器件的核......
在物理设计前期芯片物理信息供不应求的瓶颈制约着超深亚微米系统芯片设计时序、功率、信号完整性收敛及物理层次化设计方法的有效......
通过改变Si-MOSFET的栅电压、源电压、漏电压和栅氧化层厚度等参数,分析和求解栅介质下载流子迁移率、沟道内电流密度、电场、雪崩......
Taurus WorkBench是用于超深亚微米层次下的TCAD一体化仿真优化平台.在介绍了TWB的主要功能及实施要点之后,以亚微米NMOSFET器件的......
集成电路设计进入了超深亚微米领域,金属层增加,线宽减小,使电路的性能和密度都得到了很大的提高,但也引入了愈来愈严重的互连线效......
利用多层金属导体寄生电容模型，详细分析了不同的金属互连线参数对寄生电器的影响．并采用一个闭合公式对超深亚微米级集成电路中的RC......
研究了同一P阱内两个130nmNMOS器件在受到重离子辐射后产生的电荷共享效应。使用TCAD仿真构造并校准了130nmNMOS管。研究了在有无P......
随着工艺尺寸的缩小,IC设计的两大趋势是设计更复杂和对产品的设计周期要求更苛刻.在超深亚微米IC设计中,设计的复杂性会导致SI(信......
随着集成电路特征尺寸进入超深亚微米层次,互连线开始成为制约系统功能和可靠性的决定性因素.本文介绍了布局布线中的几种优化步骤......
介绍了集成电路TCAD虚拟工厂系统Taurus Workbench,基于CMOS工艺的特点,在Taurus Workbench环境下进行了深亚微米级n沟器件的核心......
系统集成芯R（SoC）是21世纪集成电路的发展方向，它以IP核复用技术、超深亚微米工艺技术和软硬件协同设计技术为支撑，是系统集成和徽电子......
考虑3种特征尺寸的超深亚微米SOI NMOSFET的中子辐照效应。分析了中子位移辐照损伤机理,数值模拟了3种器件输出特性曲线随能量为1M......
提出了利用预处理器来提供强大的压缩节点功能，大大提高了电源网格节点电压求解器的求解能力和求解速度．实验证明，该求解器能处理大规......
分析了超深亚微米工艺参数波动对电路的影响；采用“放大”的思路设计了简单的用于测量超深亚微米工艺门延迟、动态功耗、静态功耗及......
利用三维TCAD混合模拟研究了温度对0.18μm工艺下反相器链中DSET脉冲宽度的影响.结果发现,温度对DSET的影响要比温度对SEU的影响严......
集成电路进入了超深亚微米领域,金属层增加,线宽减小,使电路的性能和密度都得到了很大的提高,但也引入了愈来愈严重的互连线效应,......
分别采用流体力学模型和漂移扩散模型对不同沟道长度的NMOSFET进行衬底电流的提取,并以NMOSFET沟道长度和LDD注入峰值综合对器件特......
超深亚微米下SoC芯片的物理设计面临很多挑战性的难题，如果仅使用传统芯片设计流程，耗时长且难以达到设计收敛，必须探索新的设计方法......
随着集成电路逻辑复杂度日益提高,而工艺尺寸进入了超深亚微米数量级,低功耗设计已经成为整个SOC设计中关键的问题之一。电源电压......
随着工艺特征尺寸的不断缩小,芯片的信号完整性问题逐渐恶化。根据超深亚微米（ultra-deep submicron,UDSM）工艺特性,阐述了串扰噪声......
本文主要分析了超深亚微米集成电路设计中天线效应产生机理及其消除方法,同时还给出了天线比率的具体计算方法.将这些方法应用于雷......
首先分析了静态随机存储器（SRAM）6T存储单元结构的基本工作原理,为缩短仿真时间,构建了一种简化的SRAM电路,并通过仿真证实了此简化......
对适用于深亚微米CMOS器件的各种自对准硅化物工艺进行了讨论,并对不同硅化物薄膜的特性进行了分析.结果表明,随着大规模集成电路......
半导体集成电路技术的发展对互连技术提出了新的需求，互连集成技术在近期和远期发展中将面临一系列技术和物理限制的挑战，其中Cu互连......
VDSM(超深亚微米)设计中互连线延迟已在电路延迟中起到决定性作用.在前期设计阶段考虑互连延迟问题已是当前研究的重要课题.建立以......
对于双极性晶体管，由于自身存在的自加热现象，严重地影响着器件的特性。基于热电流方程、泊松方程及电流密度方程，在二维器件仿真环境......
<正> 突破PhySiSys(TM)技术和Milkyway-DUO(TM)体系结构允许在0.10微米或更小的尺寸下进行System-on-Chip设计(SoCs) Avant!公司的......
近年来,随着信息技术快速发展,智能卡已经走进人们生活的方方面面。智能卡凭借其所具有的高内存容量、高逻辑运算能力及高安全性,......
当前,集成电路产业进入了以纳米工艺为代表的SOC(System On Chip)时代,工艺的特征尺寸越来越小,工艺的进步对设计方法学提出了新的......
当前，集成电路产业进入了以纳米工艺为代表的SOC(System On Chip)时代，工艺的特征尺寸越来越小，工艺的进步对设计方法学提出了新的挑......
集成电路发展了40多年,已进入超深亚微米阶段,SoC产生于集成电路（IC）向集成系统（IS）转变的大背景下。从广义角度讲,SoC是一个微小型系......
本文主要分析了超深亚微米集成电路设计中天线效应产生机理及其消除方法，同时还给出了天线比率的具体计算方法。将这些方法应用于雷......
轻掺杂漏（LDD）工艺已经成为亚微米、超深亚微米MOS器件能够有效地抑止热载流子（HC）效应的标准工艺之一，但它同时也带来了在小尺寸器件模......
随着集成电路设计方法学的发展,ASIC芯片设计水平得到了很大程度的提高,ASIC设计进入了以超深亚微米工艺为支撑的SoC时代。然而,超......
对0.18μm互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺的N型金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOSFET）及静态随机存储器（SRAM）开展了不同剂量率下的电......
在超深亚微米工艺中,数字集成电路版图设计由以前简单的物理验证进入到复杂的版图验证阶段。版图验证包含时序验证、形式验证和物......
随着工艺的的发展,当今的片上系统芯片不仅要求有最小的面积,最优的性能,还要有最低的功耗。低功耗设计首先要求有较低的功耗值,这......
