金属氧化物半导体晶体管相关论文
亚微米MOSFET的热载流子效应会引起器件的失效，文中分析了热载流子效应引起器件失效的机理和物理模型，对该效应的内部电场、衬底电流......
聚焦离子束（Focused ion beam）系统现在被广泛应用于大规模集成电路的修补中，FIB辐照对器件性能的影响受到广泛的关注。研究了两种栅......
针对Si/SiGe pMOSFET器件结构求解泊松方程,同时考虑器件尺寸减小所致的物理效应,如漏致势垒降低（DIBL）效应、短沟道效应（SCE）和速度过......
应力作用下MOS性能可显著提升,小尺寸MOS沟道中单轴应力的引入可通过在MOS表面覆盖淀积SiN膜实现.虽然该工艺已广泛应用于MOS性能......
期刊
研究了基于MOSFET偏微分方程(PDE)模型的电路仿真算法,并提出一种求解PDE的快速算法.当MOSFET PDE模型用于射频(RF)电路仿真时,系......
