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聚焦离子束（Focused ion beam）系统现在被广泛应用于大规模集成电路的修补中，FIB辐照对器件性能的影响受到广泛的关注。研究了两种栅尺寸的NMOS晶体管（20μm×20μm和20μm×0．8μm）在不同辐射剂量作用下的阈值电压变化情况，发现在辐射后的阈值电压都发生了明显的漂移，辐照后的晶体管阈值电压在室温环境下静置数日后有约30％的恢复，而在退火条件下阈值电压几乎完全恢复。文中从理论上对电离辐射引起阈值电压的漂移予以解释，使实际的电路修补工作最优化，从而确保器件在修补后的可