铟锡氧化物薄膜相关论文
本研究采用具有较高相对密度(97％以上)的ITO靶材作样品,进行磁控溅射毒化实验;利用X-射线衍射(XRD)、X-射线光电子能谱(XPS)、扫描......
背景：在电化学基因芯片中,对载体材料铟锡氧化物薄膜的化学修饰、DNA杂交反应等需要在不同的介质溶液中进行,而各种介质溶液腐蚀会......
基于双极脉冲磁控溅射复合离子束辅助沉积的新工艺,在透明塑料聚碳酸酯基片上,常温制备了透明导电的铟锡氧化物(ITO)薄膜。重点研......
在不同温度基片上采用阴极磁控溅射法在玻璃上镀ITO透明导电膜,采用X射线衍射技术分析样品的结构随温度的变化情况,测量了样品的方......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
全面介绍和回顾了当前紫外光电二极管和液晶光阀器件的研究与发展情况，对它们的工作原理，材料特性、制备工艺和应用背景作了详细的分......
综述了铟锡氧化物（ITO）薄膜的生产技术概况及其发展趋势。介绍了ITO薄膜的主要制备技术的制备原理，包括磁控溅射法、溶胶一凝胶法、化......
