高介电相关论文
以表面改性气相法二氧化硅填充改性高温硫化乙烯基聚二甲基硅氧烷（PDMS）,得到硅橡胶复合材料，撕裂强度大于12 kN/mm,邵A硬度在48～56之......
随着晶体管的进一步小型化，由于存在漏电流，传统的SiO2已经无法满足下一代金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅介质要求。为了继续......
在介绍CaCu3Ti4O12材料体心立方类钙钛矿结构的基础上总结了CaCu3Ti4O12块材和薄膜的制备方法，综述了CaCu3Ti4O12材料在高介电性能......
制备一种全氟叠氮苯甲酸改性石墨烯/聚偏氟乙烯-六氟丙烯(rGO-TFB/PVDF-HFP)新型功能复合薄膜材料,并制备了全固态柔性薄膜器件。......
<正>导体填充的聚合物基复合材料是一种极其具有前景、能满足嵌入式电容器要求的高介电复合材料。多壁碳纳米管(a-MWNTs)具有大的......
采用微纳多层共挤技术,制备具有交替多层介电复合材料,为制备高介电性能的介电复合材料提供了1种新方法。采用微纳多层共挤装置,制......
具有优异综合性能的高介电材料成为电子工业的发展的推动力,电子器件的高速化、微型化已经越来越依赖于高介电复合材料的发展。但......
通过高温碳化将碳壳包覆在纳米四氧化三铁表面,形成Fe3O4@C的核壳结构。与单一结构填料粒子相比,核壳结构的Fe3O4@C在有机基体中的......
本文采用具有综合性能优异的双酚A型环氧树脂作为纳米复合材料的基体,选用不同尺寸的碳系纳米材料石墨烯及纳米石墨微片作为填料,......
本实验采用溶液共混法制备了聚偏氟乙烯/膨胀石墨(PVDF/EG)复合材料,研究了膨胀石墨(EG)含量对复合材料微观形貌、电学性能、力学......
显示技术是当前科技发展的重要技术之一。其经历了最初的阴极射线管到现在的液晶显示和等离子显示。虽然现有的显示技术在体积和能......
导电填料/聚合物基复合材料利用渗流效应,在填料含量接近渗流阈值时介电常数可以得到极大的提高。该复合材料由于其较少的填料含量......
高介电常数的聚合物基电介质复合材料在电子和电机等行业中有着极为重要的应用，因此提高电介质材料的介电常数非常有意义。碳纳米管......
随着微电子技术的飞速发展,半导体器件的特征尺寸按摩尔定律不断缩小,SiO2作为MOSFET的栅介质材料在几年之内将不能满足需求,以此......
随着电子设备的小型化及多功能化的快速发展，电子工业迫切地需要更高介电和更高导热聚合物材料，以减小电子电容器的体积和提高电子设......
聚偏氟乙烯作为一种不对称结构的半结晶型含氟聚合物，其优异的介电性能以及良好的的加工性能是不可多得的制备高介电复合材料的聚合......
将高介电常数的陶瓷作为填料加入聚合物中,是提高聚合物介电常数的主要途径之一。为了降低陶瓷添加量,用静电纺丝法制了Pb_（0.98）La_......
颗粒填充聚合物高介电复合材料兼具聚合物材料的易加工、低损耗、耐击穿性能和陶瓷材料的高介电等性能，还可使金属材料具备介电性能......
人体皮肤与空气间在介电常数上有着失配性,可穿戴设备所用的材料需要与人体皮肤有良好的匹配性能,而单一的材料与结构已不能满足这......
