6H-SiC单晶相关论文
采用同步辐射单色光形貌术观察了 6H SiC单晶中的微管缺陷 ,发现晶片中Burgers矢量为 1c的螺位错具有较高的密度。此外 ,还观察到......
期刊
本文模拟了升华法生长6H-S iC单晶的不同温度场,并进行了相应的生长实验。结果表明:改变石墨坩埚和感应线圈的相对位置,可以改变温......
SiC是一种重要的半导体材料,它具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料,同时又是......
【目的】SiC 材料结构缺陷的检测和控制是实现材料应用的关键环节,因此本文对6H-SiC 单晶中的结构缺陷进行研究.【方法】采用同步......
利用光学显微镜的反射模式观察了升华法生长的 6H SiC单晶 (0 0 0 1)Si 面的生长形貌 ,应用台阶仪测定了生长台阶高度。实验发现 ,......
利用透射偏光显微术、同步辐射X射线形貌术、高分辨X射线衍射方法对 6H SiC(0 0 0 1)晶片中的微管和小角度晶界等缺陷进行了研究。......
