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C-Si系原料相关论文
氮气中C-Si系材料的高温变化过程
以9组不同配料比的炭黑和单质硅为原料压制成试样,在氮气气氛下,分别于1350,1400,1450,1500,1550℃下烧结,获得5个不同温度点合成样品;采用......
期刊
C-Si系原料
氮气气氛
合成
C Si system materials
nitrogen atmosphere
synthesis
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