MOS场效应结构相关论文
通过理论分析和实验证明了注入光敏器件并不是一种MOS场效应结构 ,对文献[9]中得出的不同的结论和所讨论的问题阐述了自已的见解
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再次分析了间接耦合光探测器耦合系数定义的自相矛盾,指出这种器件的耦合区实际上是表面耗尽区,或者是表面反型层区,并说明这种器......
