功率半导体器件是电力电子技术发展的基础，功率MOSFET由于其具有高输入阻抗、低驱动功率、高开关速度、优越的频率特性以及良好的热......

文章针对空间用功率MOSFET器件2N7266进行了60Co源γ射线辐射试验研究。在辐射过程中,采用JT-1型晶体管特性图示仪和计算机控制的......

通常，许多资料和教材都认为，MOSFET的导通电阻具有正的温度系数，因此可以并联工作。当其中一个并联的MOSFET的温度上升时，具有正的温度......

本文针对星用功率MOSFET器件JANTXV 2N7261和SR7262V，进行了钻-60γ射线辐照试验研究。在γ射线辐照过程中，采用JT-1型晶体管特性图......

介绍功能MOSFET器件在动态电路中的两个应用实例及其特色，并指出电路实验中引入少量的电子器件是电路实验发展的一个方向。......

应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯迭克上市代号：ONNN）推出带开关控制器的电流镜......

热阻是衡量功率MOSFET器件散热能力的重要参数,对其准确测试与分析具有重要意义。基于结构函数理论,同一功率MOSFET器件在不同条件......

本工作涉及利用^252Cf源进行辐射效应试验研究的方法。结合功率MOSFET器件单粒子烧毁测试技术，对功率MOSFET器件辐射效应进行模拟试......

热性能是功率器件重点关注的对象,热失效已成为影响功率器件可靠性和使用寿命的重要因素。以SiC MOSFET功率器件为试验对象,设计测......

安森美半导体日前宣布推出带开关控制器的电流镜CAT2300，将这器件与安森美半导体的NTMFS4833NS或NTMFS4854NSSENSEFET 功率MOSFET器......

本文主要介绍功率MOSFET器件无损封装的研究。通过对封装过程中可能存在的一些易损伤环节进行了分析，同时根据测试发现不良样品的信......

在进行大功率MOSFET器件的IGSS参数测试时,时常会出现测试值随着采样延迟时间的增加而减小的情况,该种情况极易造成合格器件的误判......

在芯片封装过程中,封装材料主要包括引线框架、焊接层、连接线、聚合物等,这些都有可能影响功率金属氧化物半导体场效应晶体管,即......

针对国产功率MOSFET器件JTMCS081和JTMCS062，利用实验室的MOSFET器件单粒子烧毁试验测试系统，在252Cf模拟系统上开展了单粒子烧毁评......

选取典型的星用功率MOSFET器件JANTXV 2N6798和JANTXV 2N7261为研究对象，就剂量率对MOSFET器件总剂量效应的影响进行试验研究。在试......