双节点翻转相关论文
提出了1种可以抵抗双节点翻转的锁存器.该锁存器的反馈回路由保护门、延迟单元以及3选2多数表决器构成.保护门的输出送入表决器进......
随着半导体技术的迅猛发展,数字电路对软错误变得越发敏感。近年来,我国在通信和航天等领域迅速崛起,对数字电路的可靠性和开销提......
随着片上系统的密度越来越高,现代应用需要越来越多的存储器模块,其占据了芯片相当一部分面积。随着工艺尺寸的缩减,辐射导致的单......
工艺尺寸的缩减及供电电压的下降,使得节点电容及节点存储的电荷都变小。因此,较小的错误电荷就能使节点的逻辑状态发生变化。由于......
提出一种新颖的单粒子效应加固输入接口电路,采用组合逻辑延迟后运算处理的方案。该电路基于华润上华600 V BCD 0.8μm工艺进行电......
为了有效容忍双节点翻转,提出了一种新颖的22nm互补金属氧化物半导体工艺下双节点翻转自恢复的抗辐射加固锁存器.使用3个互锁的单......
针对现有容忍单粒子效应的锁存器结构无法同时容忍单粒子翻转（SEU）、单粒子瞬态（SET）,以及未考虑电荷共享导致的双节点翻转（DNU）问题,提......
随着集成电路制造技术的迅猛发展,电路特征尺寸与工作电压呈现不断下降趋势,电路内部节点的逻辑状态发生翻转所需要的电荷量(临界......
