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横向超结双扩散MOS相关论文
横向超结器件衬底辅助耗尽效应的研究与展望
横向超结双扩散MOS(SJ-LDMOS)的性能优越,在高压集成电路和功率集成电路中具有广阔的应用前景,而衬底辅助耗尽效应是制约横向超结......
期刊
横向超结双扩散MOS
衬底辅助耗尽效应
击穿电压
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SJ-LDMOS
Substrate-assisted depletion (SAD) effec
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