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碳化硅金属氧化物场效应晶体管相关论文
基于SiC MOSFET直流固态断路器关断初期电压尖峰抑制方法
针对碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiC MOSFET)直流固态断路器关断速度快、关断初期易产生较大电压尖峰及振荡问题,提出一种抑制......
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碳化硅金属氧化物场效应晶体管
直流固态断路器
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