一种新型的液态MO源金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,它采用液态MO源脉冲输送技术。该方法采用了可编程控制器(PLC)和触摸屏,可......

系统研究了纳米量级的多孔 SiNx插入层生长位置对高质量GaN外延薄膜性质的影响.高分辨X射线衍射测量结果表明:SiNx插入层生长在CaN......

利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术,采用二乙基锌(DEZ)作Zn源和H2O作O源,使用B2H6为掺杂气体,制备出了光电特性稳定的低......

采用光辅助金属有机物化学气相沉积（MOCVD）法,在生长有CeO2/YSZ/Y2O3（YSZ为Y稳定的ZrO2）缓冲层的双轴取向Ni衬底上进行了YBa2Cu3O7-x（YB......

利用金属有机物化学金相沉积MOCVD在Si(111)衬底上, 以高温AlN和低温GaN为缓冲层生长的GaN薄膜, 得到GaN(0002)和(10-12)的双晶X射......

对用于提高AlGaInP红光发光二极管(LED)出光效率的分布布拉格反射镜(DBR)和增透膜进行了分析,用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生......

GaN作为第三代半导体材料,具有宽能带间隙、高电子迁移率以及高导热性等优异特性,基于GaN材料的蓝光LED引领了半导体照明技术的第......

ZnO是一种直接带隙宽禁带半导体材料,室温时禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,这些特点使其适合制备短波长光电器件。然而,目......

高质量AlN薄膜对制造高性能深紫外器件非常重要,但是目前还很难使用大型工业MOCVD生长出高质量的AlN薄膜。采用磁控溅射制备了不同......

以MOCVD为研究对象,采用有限元方法研究了喷淋头进气压强、流量、载片盘转速及反应室出口压力对反应室内部流场的影响。结果表明,......

采用改变生长条件的方法制备GaN薄膜,在（0001）面蓝宝石衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术制备了不同样品,并借助X射线双晶衍射仪......