900V半超结VDMOS元胞的仿真设计

来源 :2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yyw953

【摘要】

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超结结构突破了普通VDMOS的"硅限",获得了正向导通与反向耐压之间的良好折中,而半超结结构克服了超结结构耐压要求与工艺难度之间的矛盾.本文提出了半超结元胞和终端的设计思

【作者】

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宁润涛杨珏琳任敏黄锴尹杰王君龙章志海李泽宏张金平

【机构】

：

中国电子科技集团公司第47研究所,辽宁沈阳,110032

【出处】

：

2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

【发表日期】

：

2013年期

【关键词】

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VDMOS 元胞结构比导通电阻正向导通阈值电压设计思路耐压击穿电压工艺参数仿真优化电学特性终端矛盾

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超结结构突破了普通VDMOS的"硅限",获得了正向导通与反向耐压之间的良好折中,而半超结结构克服了超结结构耐压要求与工艺难度之间的矛盾.本文提出了半超结元胞和终端的设计思路,并对其主要的工艺参数和电学特性进行了仿真优化,最终得到击穿电压为967V，比导通电阻为4.95Ω·mm2,阈值电压为2.6V的半超结元胞结构.

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