Zn-Sn-O材料体系中的ZnO、SnO₂、Zn₂SnO₄等都是氧化物半导体中备受瞩目的材料,它们具有很高的可见光透过率与载流子迁移率,是制造下一代柔性可穿戴设备的有利候选者。但是单一组分材料的性能毕竟有限,目前研究人员主要通过纳米化、掺杂与异质结搭建等方法来提升氧化物半导体的各项性能。Sn掺杂ZnO纳米线的研究工作已经开展多年,但直至近些年,一种新型SnO₂（ZnO）_m超晶格结构的纳米线才被发现,预期它会有更好的热电与催化性能,但其相关的形成机理仍然不确定。另外利用ZnO、SnO₂、Zn₂SnO₄等氧化物半导体构建异质结来提升材料性能的工作已不在少数,但对于Zn₂SnO₄和SnO₂间是否有外延关系,能否获得高质量异质界面等问题仍然存疑。本论文围绕氧化物纳米线生长机理、SnO₂（ZnO）_m超晶格纳米线的结构演化及SnO₂-Zn₂SnO₄异质结构的外延关系展开如下研究。第一,调控化学气相沉积过程中的多项参数实现了ZnO纳米线与SnO₂（ZnO）_m超晶格纳米线的可控制备,并获得SnO₂（ZnO）_m-Zn₂SnO₄异质结纳米线。通过结构表征与晶体学模拟分析,确定ZnO、SnO₂（ZnO）_m与Zn₂SnO₄存在着结构继承性,彼此间联结的纽带为Sn-O八面体层。同时确定SnO₂（ZnO）_m与Zn₂SnO₄晶体存在如下外延关系:SnO₂（ZnO）_m[11（?）0]//Zn₂SnO₄[（?）01],SnO₂（ZnO）_m（0002）//Zn₂SnO₄（111）。第二,利用两步化学气相沉积方法制备出SnO₂-Zn₂SnO₄核壳纳米线与异质结构纳米带,经过结构表征确定SnO₂与Zn₂SnO₄存在如下三组外延关系:SnO₂[101]//Zn₂SnO₄[101],SnO₂（10（?））//Zn₂SnO₄（13（?））;SnO₂[101]//Zn₂SnO₄[101],SnO₂（020）//Zn₂SnO₄（1（?）（?））;SnO₂[010]//Zn₂SnO₄[112],SnO₂（（?）00）//Zn₂SnO₄（11（?））。