为了设计以半导体异质结构量子点接触(QPC)为基础的器件,需要掌握QPC结构中静电势的分布及其控制方法。本文研究QPC中静电势的数值计算方法,并分析影响QPC静电势的因素。本文从QPC应用于灵敏电荷探测器的原理和发展现状出发,研究了QPC的基本结构和特性,分析了QPC用作灵敏电荷探测器的原理和影响因素,确定了QPC静电势的研究方向。在对QPC结构和QPC静电势影响因素研究的基础上,建立了QPC器件的物理模型,并根据量子力学方法,建立了QPC静电势计算的准3D数学模型。本文采用有限差分算法,对有效质量方程和泊松方程进行了准3D自洽求解,得到了QPC静电势和内部电子密度的分布。根据计算得到的结果,分析栅极结构,栅极电压等对QPC静电势分布特性和大小的影响,讨论了栅极形状,栅极面积和栅极电压影响下的QPC电势的变化情况,并将求得电势的数值结果,代入到QPC电导计算的程序中,实现了QPC静电势数值结果在QPC电导计算中的应用。本文对于QPC器件设计和优化有着理论上和工程上的指导作用,为开发QPC设计的CAD工具奠定了基础。