石墨烯是碳原子构成的蜂窝状的二维材料,因其具有许多优异的性能而成为众多领域争相研究的热点。在电子产品领域,石墨烯有望会取代......

利用数值计算的方法研究了InP基高电子迁移率晶体管(HEMT)中沟道厚度对沟道中二维电子气(2DEG)性质的影响,并对产生这种影响的原因......

研究了不同沟道厚度的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性.在考虑了两个子带电子之间的磁致......

本论文主要讲述了处理非平衡态开放体系量子输运问题的第一性原理非平衡态格林函数方法,并介绍了在此理论基础上对有机晶体管电流......

研究了基于InP基的In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料中纵向磁电阻的Shubnikov-deHaas(SdH)振荡效应和霍耳效......

AlxGa1-xN/GaN量子阱具有大的导带偏移、强的极化效应、大的LO声子能量和大的电子有效质量等特点。大的导带偏移有利于在AlxGa1-xN......

为了设计以半导体异质结构量子点接触(QPC)为基础的器件,需要掌握QPC结构中静电势的分布及其控制方法。本文研究QPC中静电势的数值......

本论文主要研究了Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体材料(DMS)的磁性特征,基于一维薛定谔方程和泊松方程的自洽求解,我们着重分析了材料的自旋极化......

利用有限差分法对δ掺杂InAlAs/InGaAs异质结进行了理论研究,通过对schr dinger方程和Poisson方程的自洽求解,得到器件中二维电子......

从热传导方程出发，考虑Nottingham效应和焦耳热情况下，采用自洽求解了圆锥形场发射体的尖端表面温度；定量讨论了温度与给定的圆锥形场......