MLC型NAND闪存由于低成本、大容量等优点而得到广泛应用。多级存储单元(MLC)技术可用来提高NAND闪存的数据存储密度(容量)，然而，随着NAND闪存芯片封装尺寸的缩小，MLC型NAND闪存的可靠性面临着严峻的挑战，无法满足未来数据存储系统的需求，而纠错编码是提高闪速存储系统可靠性的有效途径。本文对MLC型NAND闪存的差错控制编码技术进行了研究，针对闪存的数据表示和错误类型，分析并给出了相应的解决方案和纠错算法，主要内容如下：1.概括了闪存的特性和差错控制基础，介绍了NAND闪存存储单元的编程、擦除操作和理想的阈值电压分布，并详细分析了闪存信道噪声模型及其对阈值电压分布的影响。2.为了降低过度编程的风险和电荷泄露的影响，分析了用置换存储数据的等级调制方案，并给出实现该方案的两种等级调制格雷码和用等级表示置换的计数算法。实验结果表明平衡等级调制格雷码的跃变代价比非平衡等级调制格雷码小。3.针对闪存系统级的错误，分析了存储单元的非均匀存储感知方案和计算对数似然率的数学模型，并给出了感知电压和LLR的计算结果；针对MLC型NAND闪存特有的错误，给出了有限强度错误奇偶校验算法和双向有限强度纠错算法。仿真结果表明双向有限强度纠错算法的纠错性能优于有限强度奇偶校验算法。