高效、低成本，是光伏研究的两个重要方向。本文围绕常规结构太阳电池的新工艺开展研究，涉及激光、制绒、扩散以及低纯度硅片电池制作等等。论文共有5章。　　 第一章回顾了光伏市场的发展现状；描述了常规电池的结构和制作工艺；分析了晶体硅太阳电池效率的限制和损失；综述了激光在高效晶体硅电池中的应用。激光刻蚀在制绒、扩散、电学通道制作等工艺上得到广泛应用；激光开槽、激光掺杂在制备选择性发射极太阳电池中具有先天的优势，并已有设备厂家提供完整的turnkey line生产线，量产的SE单晶硅电池，效率可达18％以上，但激光加工的稳定性，激光对硅片的损伤造成的碎片率高，是激光技术产业化的瓶颈所在；　　 第二章利用TMAH和NaOH各向异性腐蚀液在5英寸单晶硅片上制作出平均尺寸1-6μm不等的金字塔绒面，并利用常规工艺制作成电池；利用酸减薄+TMAH制绒，制作出平均尺寸为1.97μm的金字塔绒面；在NaOH制绒液中添加表面活性剂，制作出1-2μm金字塔绒面；对于常规结构电池，单晶硅小绒面并没有性能上的优势。但随着激光在晶体硅电池制造工艺中的广泛应用，单晶硅小绒面将显示出与激光工艺相匹配的优势；　　 第三章介绍了p-n+结在电池中的作用，阐述了磷扩散的原理和过程，通过实验优化了drive-in的时间和温度，对比了不同方块电阻和扩散方式对电池性能的影响。通过电池的I-V性能分析，优化的drive-in时间为180s，温度为790℃；随着方块电阻增大，接触电阻增大，串联电阻随之增大，同时表面复合速率降低，短路电流增大，p-n+结深变小，较易烧穿，并联电阻减少，最终导致填充因子下降，转换效率降低；双面扩散比单面扩散的转换效率高0.19％：　　 第四章利用常规工艺在物理提纯法硅片和西门子法硅片上制作电池，并对这两种电池的性能作了对比。物理提纯电池的效率比西门子法提纯电池效率绝对值低0.79％，相对值低5.0％，最主要是由短路电流的差异引起的；经过135分钟的卤素灯的照射，物理提纯硅电池转换效率衰减13.81％，远大于西门子法硅电池。转换效率的衰减主要是由短路电流的衰减引起的；　　 第五章为总结。