随着信息时代的到来，光通信的发展已经成为了推动通讯发展的一个重要因素。对于越来越多的信息传输量和日益增长的信息传输速度，提供性能更加优良的多功能通讯器件已经成了社会的需求。人们在不断的开发研究新材料来满足器件应用的发展。透明锆钛酸铅镧（（Pb，La）（Zr，Ti）O3）简称PLZT陶瓷，对可见光到红外光波段的透过性好，光损耗小。它还一种是性能良好的电光陶瓷，具有的二次电光系数大，响应速度快、工作所用的驱动电压低等特点。而且PLZT透明陶瓷比单晶材料中容易掺入较高浓度的镧系稀土离子。稀土离子掺杂的PLZT电光陶瓷是一种性能很好的电光多功能器件。本课题就是对稀土掺杂PLZT陶瓷的电光性能和材料中的光放大性质进行了研究。首先，对稀土掺杂PLZT陶瓷的基本性能进行了研究。了解了陶瓷的烧结工艺，分析了材料的晶格结构，对材料的表面形貌进行了表征。测定了材料在0℃~250℃范围内介电常数随温度的变化。利用椭偏仪测量了材料在不同波长下折射率的变化，并用塞尔迈耶尔方程拟合、计算得到了材料在给定波长的折射率。在常温下测量了陶瓷的电光系数，并研究了短波长光对材料的电光系数的影响。其次，对材料的光谱性质进行了研究。利用紫外可见近红外分光光度计测量了材料的吸收光谱，得到了不同稀土离子掺杂PLZT陶瓷的特征吸收峰和吸收边界。用808nm二极管激光器激发，测量了钕离子掺杂PLZT陶瓷的荧光光谱。随后，针对钕离子掺杂的PLZT陶瓷的吸收光谱和荧光光谱，用J-O理论分析了光谱参数，对材料作为光放大介质的可能做出了理论分析。最后，在实验上搭建系统，测量了在室温下的材料的光放大性能，测量并观察了材料的光放大现象。研究了经过短波长光的照射后，材料的光放大受短波长光照的影响而发生改变。利用PLZT能带间的陷阱俘获电子模型，对材料的光放大现象进行了一些分析。